●관련이론
1. 평균 컬랙터 특성, 에미터 공통회로 구성
[그림 10.1 2N4047의 특성곡선(주위온도 25°C)] [그림 10.2 2N217 에미터 공통의 컬랙터 특성곡선]
그림 10.1은 2N4074, 그림 10.2는 PNP형 2N217 에미터 공통 트랜지스터에서 평균 컬랙터 특성의 IC대 VCE를 각각 나타낸 것이다. 각 곡선은 VCE의 함수로써 VCE의 여러가지 값에 대해 IC를 그린 것이며 여기서 베이스 전류는 일정하게 유지되었다. 각 곡선에서 베이스 전류의 레벨이 증가함에 따라 컬랙터 전류 레벨 주로 의존한다는 사실은 재미있다. 또 다른 흥미있는 사실은 0.1㎃ 베이스 전류에서 곡선은 VCE=-12V에서 끝난다는 사실이다. 이 점에서 컬랙터 전류는 약 -12V이다. 그러므로 곡선의 끝점에서 VCE와 IC의 곱은 144㎷이다. 이 값은 트랜지스터 전력 소모 규격인 150㎽에 가깝다. 트랜지스터는 그 전력 소모 규격 이하에서 작동되어야 한다.
곡선의 왼쪽에 있는 부분은 트랜지스터의 포화(최대도통) 영역을 나타낸다. VCE의 작은 변화도 IC의 큰 변화를 가져온다. 아래의 빗금친 부분은 차단 영역이라 부른다. VCE의 큰 변화에도 컬랙터 회로에는 거의 전류가 흐르지 않는다. 흐르는 전류는 ICEO로 나타내는 누설 전류이다. 여기서 ICEO는 베이스 전류가 없을 때 컬랙터 대 에미터 전류이다.
그림 10.2의 곡선은 트랜지스터의 주위 온도가 25℃일 때 실험적으로 나타낸 것이다. 온도가 증가한다면 컬랙터 전류는 더욱 증가할 것이고, 허용된 소모 규격상의 제한은 더욱 커져야 할 것이다. 그림 10.2에서 를 계산할 수 있다.
2012.04.12
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