① 실험목적
1. 트랜지스터의 기본 동작원리를 이해하며
2. 트랜지스터의 단자를 식별하고
3. ICBO를 측정한다
② 사용기기 및 부품
1. 직류가변전원 : 0-30V*2
2. 멀티미터
3. 저항 : 100Ω 1/2W, 820Ω/10W
4. 가변저항 : 2.5kΩ 1/2W
5. 트랜지스터 : 2SC1815, 2SA1270
6. 스위치
③ 이론
(그림 6-1)
트랜지스터는 다이오드와는 달리 3단자 소자로서, 소형이고 가볍고 낮은 전압에서 동작하고 전력소모가 적은 특징이 잇다. 그러나 TR은 온도에 민감한 단점이 잇다.
그림 6-1은 TR의 구조와 기호이다. 에미터와 콜렉터 사이에 베이스라고 부르는 아주 얇은 층으로 되어 있다. 보통 베이스 두께는 1mil(0.001inch)정도이다.
TR이 증폭기로서 사용되기 위해서는 그림 6-2와 같이 바이어스해야 한다. 즉 에미터와 베이스간은 순방향바이어스를 가하고 베이스와 콜렉터간은 역방향 바이어스가 되도록 직류전원을 연결해야 한다.
pnp트랜지스터의 경우, 에미터와 베이스 간에는 주로 에미터의 다수 캐리어인 정공에 의해 전류가 형성된다. 콜렉터가 없다고 가정하면 이 에미터-베이스간 전류는 보통의 다이오드의 경우와 같다. 그러나 p형의 콜렉터가 Vcc의 단자에 연결되면 정공전류의 통로는 달라지게 된다. 에미터에 의해 방출된 정공의 일부는 베이스의 자유전자와 결합하고 나머지 대부분(약 95%이상)의 정공은 매우 엷은 베이스층을 통과하여 콜렉터의 -전원 단자에 도달한다. 에미터는 전류를 형성하는 다수 캐리어의 원천이 되고 에미터-베이스간 전류는 대단히 적고 에미터-콜렉터간 전류는 크다. 또한 에미터-베이스간의 순방향 바이어스를 증가시키면 에미터전류가 증가하고 콜렉터 전류도 증가한다. 에미터전류가 증가하거나 감소할 때 베이스전류의 증가 또는 감소는 대단히 작다. 따라서 콜렉터전류는 에미터-베이스 바이어스에 의해 조절된다.
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2012.05.16
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