1. 실험 목적
(1) 반도체 다이오드(diode)의 순방향 및 역방향의 전압 전류 특성을 이해한다.
(2) 실리콘과 게르마늄 다이오드의 문턱 전압을 측정한다.
2. 이론
(1) 다이오드
반도체 다이오드는 셀레늄(selenium : Se)을 주체로 한 것과 실리콘(silicon : Si), 게르마늄(germanium : Ge)을 주체로 한 것이 있으나 정류용으로는 Si이 주로 쓰인다.
[그림 19-1] 다이오드의 기본 구조
다이오드는 그림 19-1과 같이 P형 반도체와 N형 반도체를 접합시킨 구조로 되어 있다. P형 쪽을 (+)극, N형 쪽을 (-)에 접속하면 화살표 방향으로 전류가 흐르는데 이와 같은 접속 방법을 순방향 바이어스라고 한다.
이 실험에서는 인가 전압이 증가함에 따라 전류가 어떻게 변화하는가와 인가 전압의 방향을 반대로 했을 때의 전류 변화를 관찰한다.
(2) 반도체 소자 규격
반도체 소자에 대한 형명은 미국에서는 1N……, 2N…… 등의 JEDEC의 규정에 따라 쓰로 유럽에서는 로마자와 숫자와의 조합으로 표시하고 있고, 특히 일본의 JIS와 EIAJ에 의한 것을 소개하면다음과 같다.
① 1항의 숫자 : 반도체 소자의 종별을 표시하며 표 19-1과 같다.
② 2항의 문자 : 대개 S로 하며 반도체 소자를 표시한다.
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2012.06.04
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