유도결합플라스마 발광광도법 [ Inductively Coupled Plasma; ICP 분석법]
리포트 > 공학/기술
유도결합플라스마 발광광도법 [ Inductively Coupled Pla..
MS워드
2013.05.08
5페이지
1. 유도결합플라스마 발광광도법 [ Inductivel..
2. 유도결합플라스마 발광광도법 [ Inductivel..
유도결합플라스마 발광광도법 [ Inductively Coupled Plasma; ICP 분석법]
유도결합플라스마 발광광도법 ( Inductively Coupled Plasma(ICP))

원리 및 적용범위
시료를 고주파유도코일에 의하여 형성된 알곤 플라스마에 도입하여 6,000~8,000oK 에서 원자가 바닥상태로 이동할 때 방출하는 발광선 및 발광강도를 측정하여 원소의 정성 및 정량분석에 이용하는 방법이다.

1. 개 요
ICP는 알곤가스를 플라스마 가스로 사용하여 수정발진식 고주파발생기로 부터 발생된 주파수 27.13 ㎒ 영역에서 유도코일에 의하여 플라스마를 발생시킨다. ICP의 토치( Torch )는 3중으로 된 석영관이 이용되며 제일 안쪽으로는 시료가 운반가스( 알곤, 0.4~2 L/min )와 함께 흐르며, 가운데 관으로는 보조가스( 알곤, 플라스마가스, 0.5~2 L/min ), 제일 바깥쪽 관에는 냉각가스( 알곤, 10~20 L/min )가 도입되는데 토치의 상단부분에는 물을 순환시켜 냉각시키는 유도코일이 감겨 있다. 이 유도코일을 통하여 고주파를 가해주면 고주파가 알곤가스 매체 중에 유도되어 플라스마를 형성하게 되는데 이때 테슬라코일에 의하여 방전하면 알곤가스의 일부가 전리되어 플라스마가 점등한다. 방전시에 생성되는 전자는 고주파 전류가 유도코일을 흐를 때 발생하는 자기장에 의하여 가속되어 주위의 알곤가스와 충돌하여 이온화되고 새로운 전자와 알곤이온을 생성한다. 이와같이 생성된 전자는 다시 알곤가스를 전리하여 전자의 증식작용을 하므로서 전자밀도가 대단히 큰 플라스마 상태를 유지하게 된다. 알곤플라스마는 토치 위에 불꽃형태( 직경 12~15 ㎜, 높이 약 30 ㎜ )로 생성되지만 온도, 전자 밀도가 가장 높은 영역은 중심축보다 약간 바깥쪽( 2~4 ㎜ )에 위치한다. 이와 같은 ICP의 구조는 중심에 저온, 저전자 밀도의 영역이 형성되어 도너츠 형태로 되는데 이 도너츠 모양의 구조가 ICP의 특징이다.
....
지구과학시료분석 - 분광분석용 암석, 광물의 .. ICP 기기조사에 관해
[실험보고서] 이원계 합금의 제조 및 분석 지구상에 네 번째 풍부한 원소인 철 분석
[화학 분석 실험] 철 _ 흡광광도법 (O-페닌트로.. [전기전자] 형광체 발광에 대해서
ICP 화학공학 심험 - Gravimetric Determination of..
대기오염공해시험방법 →고품질_플라스마_아크용접_기술
[공학] 전자 디스플레이(RECENT ADVANCES IN DI.. B cell 과 T cell
컴퓨터의 분산 시스템 개념 및 특징 LED 표준화 사례 조사
 
[건축] 국내외 CM 사례조사
cm레포트
딸기잼의 제조과정 및 잼의 원리
[건축공학] 저탄소 방의 냉방..
공조설비설계 열원 계산
공조설비설계 냉수 배관의 마..