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전기전자 - 반도체 소자의 제작공정 MEMS
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전기전자 - 반도체 소자의 제작공정 MEMS
목 차
#반도체 소자의 제작공정
#MEMS (micro electro mechanical systems)
반도체 소자의 제작공정
1단계 단결정 성장
고순도로 정제된 실리콘 용융액에 SEED 결정을 접촉, 회전시키면서 단결정규소봉(INGOT)을 성장시킴
2단계 규소봉절단
성장된 규소봉을 균일한 두께의 얇은 웨이퍼로 잘라낸다. 웨이퍼의 크그는 규소봉의 구경에 따라
3 ,4 ,6 ,8 로 만들어지며 생산성향상을 위해 점점 대구경화 경행을 보이고 있음
3단계 웨이퍼 표면연마
웨이퍼의 한쪽면을 연마하여 거울면처럼 만들어주며, 이 연마된 면에 회로패턴을 그려넣게 됨
4단계 회로설계
CAD(Computer Aided Design)시스템을 사용하여 전자회로와 실제 웨이퍼 위에 그려질 회로패턴을 설계한다.
5단계 MASK(RETICLE)제작
설계된 회로패턴을 E-beam설비로 유리판 위에 그려 MASK(RETICLE)를 만듬.
6단계 산화(OXIDATION)공정
고온(800~1200℃)에서 산소나 수증기를 실리콘 웨이퍼표면과 화학반응시켜 얇고 균일한 실리콘산화막(SiO2)를 현상시켜는 공정
7단계 감광액(PR:Photo Resist)도포
빛에 민감한 물질인 PR를 웨이퍼 표면에 고르게 도포시킴
8단계 노광(EXPOSURE)
STEPPEE를 사용하여 MASK에 그려진 회로패턴에 빛을 통과시켜 PR막이 형성된 웨이퍼 위에 회로패턴을 사진 찍는 공정
9단계 현상(DEVELOPMENT)
웨이퍼 표면에서 빛을 받은 부분의 막을 현상시키는 공정 (일반 사진현상과 동일)
10단계 식각(ETCHING)
회로패턴을 형성시켜 주기 위해 화학물질이나 반응성 GAS를 사용하여 필요없는 부분을 선택적으로 제거시키는 공정 이러한 패턴형성과정은 각 패턴층에 대해 계속적으로 반복됨
11단계 이온주입(ION IMPLANTAION)
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2014.01.20
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