전자회로 설계 및 실험 - 직렬 및 병렬 다이오드 구조
실험 목적 : 직렬 또는 병렬 다이오드 구조의 회로를 해석하고, 다양한 다이오드 회로의 회로 전압을 계산하고
측정한다.
실험 소요장비
계측기 - DMM
부품 - 저항 - 다이오드
1) 1k , 2.2k 1)Si , 2)Ge
-전원 (직류전원)
실험 순서
1.문턱전압 VT
Si과 Ge 두 다이오드에 대해서 DMM의 다이오드 검사 기능 또는 커브 트레이서를 사용하여 문턱 전압을 특정하라.
이 실험에서 얻어진 점화 전위는 그림에서 보여준 각 다이오드의 등가적 특성을 나타낸다. 두 다이오드에서 얻어진
V값을 그림 3-2에 각각 기록하라. 만약 다이오드 검사기능 또는 커브 트레이서를 이용할 수 없다면 Si와 Ge에
대하여 각각 VT = 0.7 , 0.3V 로 가정하라
VT = 0.573 (측정값)
2.직렬구조
a) 다음과 같이 회로를 구성하라. 저항 R값을 측정하고 기록하라.
R(meas) = 2.168k
b) 순서 1에서 측정한 Si 다이오드의 문턱 전압과 R의 측정값을 이용하여 VO와 ID의 이론적인 값을 계산하라.
VD에 대해서는 VT 값을 기입하라.
VD = VT = 0.573V
VO(계산값) ＝ 5V - 0.573V = 4.427V
ID(계산값) = ID = VO / R = 4.427 / 2.168K = 0.002 A
c) DMM으로 전압 VD와 VO를 측정하고, 측정값 으로부터 전류 ID를 계산하라. 순서 2(b)의 결과와 비교하라.
VD (측정값) = 0.623mV
VO (측정값) = 4.444V
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2015.03.24
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