전자회로실험 - BJT의 특성 및 bias 결과 보고서

전자회로실험 - BJT의 특성 및 bias

1. 실험 제목
BJT의 특성 및 bias

2. 실험 목적

2-1.트랜지스터 바이어스, 동작점, 증폭 작용, 스위치 작용 사이의 상관 관계를 인식함으로써 트랜지스터 회로 설계 능력을 기른다. 특히 동작점의 위치와 증폭기로서의 특성 사이의 관계에 대한 이해를 통하여 증폭기 설계의 기초를 마련한다.

2-2.증폭기로 동작하도록 동작점을 설정하는 기법을 익힌다. 아울러 동작점이 바이어스 회로 및 소자 변수와 어떻게 연관되어 있는지를 이해하도록 한다.

2-3.트랜지스터의 임의의 단자를 선정하여 그 단자의 이미터 , 베이스 , 컬렉터를 구별하는 실험이다.

3. 실험 장비 및 재료
-전원 : , dc 전원
-계측기 : dc 전류계 (2개), 멀티미티
-저항 : 1/2 100Ω, 360Ω, 470Ω, 4.7㏀, 5㏀ (또는 4.7㏀) 가변저항j
-반도체 : 2N2222A (npn), 2N2907A (pnp)
-기타 : ON/OFF 스위치 (2개)

4. 실험절차 및 결과 분석
A. pnp 트랜지스터의 bias

1. 주어진 트랜지스터의 형(type)과 에미터, 베이스, 콜렉터 리이드를 테스터를 사용하여 확인하라.

2. 그림 3.1의 회로를 구성하라. 스위치 을 열고, 가변저항 는 최대로 한다. 전류계 과 는 가장 큰 range에 놓고 나중에 필요에 따라 range를 바꾼다.
3. 스위치 을 닫고, 와 를 측정하여 표 3.1에 기록하라. 또, 와 를 측정하여 극성과 함께 표 3.1에 기록하라.

4. 스위치 을 열고, 그림 3.1의 회로를 그림 3.2의 회로와 같이 변경하라.

5. 스위치 과 를 닫고, 가변저항 를 최대로 유지란 상태에서, 와 및 를 측정하여 표 3.1에 기록하라. 또, 와 를 측정하여 극성과 함께 표 3.1에 기록하라.

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