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 물리실험 - 키르히호프의 법칙 ( 7Pages )
물리실험 - 키르히호프의 법칙 1. 실험목적 - 여러 개의 고리로 된 회로에서 흐르는 전류와 전압을 계산하고 키르히호프의 법칙을 이 해한다. 2. 기본원리 여러 개의 전기 저항과 전원이 연결된 복잡한 회로에서 각 부분을 흐르는 전류와 전압사이 에는 다음과 같은 키르히호프의 법칙이 성립한다. 제 1법칙 : 전류가 흐르고 있는 여러 개의 회로가 한 점에서 만날 때 이 점에 흘러들어오는 전류의 ..
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 전자회로 설계 - BJT Amp 설계 ( 10Pages )
1. 회로설명 ※ 이번 BJT-Amp 설계의 목표는 다음과 같다 1. Gain = 20DB 2. Input impedance 는 1k 이상 3. Output impedance 는 10 이하 ※ 입력 전압을 증폭시키기 위한 기본적인 Common emitter는 다음과 같다. Common emitter ※ Common emitter에 다른 소자들을 추가 시킬 경우 Spec에 많은 차이를 나타내므로 대략적인 Spec을 조사해보자. ※ Dc Bias 좌측의 그림과 같이 Common emitter의 Ba..
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 Voltage-to-Current 변환회로를 수행 ( 3Pages )
실험 1. 회로 8-1의 Voltage-to-Current 변환회로를 수행하라. 을 1V에서 10V까지 parametric 해석을 하였다. 이 회로는 비반전 전압-전류 변환기(전류귀환 증폭회로)로 이상적인 op amp에서 입력 임피던슨 무한대이므로 들어가는 전류는 0이 되고 출력전류 이 되므로, 전압에 출력전류가 비례하게 된다. 따라서 위와 같은 결과가 나오게 되고, 이 에 비레하므로 전압-전류 변환기라 한다. 실험 3. 1차..
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공학, 기술
 rlc회로 ( 3Pages )
1. 실험결과 분석 및 고찰 - 이 실험은 RLC회로에 교류전압을 걸어주어 교류 주파수가 변함에 따라 나타나는 회로의 특성을 이해하고 회로의 전류 및 각 단자에 걸리는 전압을 측정하여 임피던스를 구하는 실험이었다. 1. 실험결과 실 험 조 건 측 정 값 오 차 m (V) f (Hz) R () L (H) C (F) Im (A) VRm (V) VLm (V) VCm (V) Z= m/Im 이론 Z 오차 (%) 10 60 200 0.01 0.0001 0.0047 0.77 0.05 10.58 212..
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 전자회로실험 - 트렌지스터 직류 바이어스 실험 ( 7Pages )
트렌지스터 직류 바이어스 실험 실 험 일 자 지도교수 실 험 자 소 속 학 번 성 명 실 험 목 적 트랙지스터의 여러 가지 바이어스 회로를 구성하고 분석함으로써 직류 바이어스에 대한 개념을 명확히 한다. 실 험 기 기 및 부 품 디지털 멀티미터 파워 서플라이 브레드보드 트랜지스터 저항 330 , 470 , 1, 2, 4.7, 6.8 , 33 , 47 , 1 , 1 대 1 대 1 [EA] 2 [EA] 각각 1 [EA] 실 험 방 법 6.5.1 베이..
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 [일반물리학 실험] 측정장비 연습 ( 4Pages )
[일반물리학 실험] 측정장비 연습 1. 실험 제목 : 측정장비 연습 2. 실험 목적 : 물리학실험에 필요한 기본 측정장비인 오실로스코프, 함수발생기, 디지털멀티미터, 브레드보드의 사용법을 익히고, 장비를 이용하여 파형을 관찰하고 저항을 측정하여 본다. 3. 장비 설명 A. 오실로스코프 : 전압 신호를 시간이나 또 다른 전압신호의 함수로 영상장치를 통하여 눈으로 볼 수 있도록 만들어진 장치이다. 오..
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 제어공학실험 - 1차 지연요소 ( 7Pages )
제어공학실험 - 1차 지연요소 1. 실험목적 입력에 대한 출력의 시간응답특성이 시정수에 의하여 1차 지연을 갖는 요소의 회로 해석 및 특성을 관측한다. 물리적으로 이런 시스템은 R-C회로나 열시스템 등을 나타낸다. 2. 실험회로 3. 실험순서 및 결과 실험 3.1 1차 지연요소의 실험회로를 구상하라. =10k, 는 최대가 되도록 설정할 것. 실험 3.2 함수발생기를 이용하여 입력전압 를 100Hz, 1구형파 ..
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 기초공학실험 - 온도 측정에 대해서 ( 4Pages )
기초 공학 실험 온도 측정 실험 보고서 1. 실험 목적 접촉식 온도계인 glass bulb온도계 열전대 및 RTD 온도센서로 측정하여 작동원리 및 각각의 계측 시스템을 이해하고 측정값을 비교 해보고 각각의 센서로 같은 온도를 측정해보고 이들 센서 또는 계측 시스템의 오차에 대해 고찰한다. 2. 원리 및 온도 측정방법 1. Glass bulb 일상생활에서 흔히 사용하고 있는 온도계로 열역학 0 법칙에 근거하여 ..
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 컴퓨터개론 - 디지털 오디오[digital audio]와 미디[MIDI] ( 4Pages )
디지털 오디오(digital audio)와 미디(MIDI) ➀ 디지털 오디오 란 아날로그 소리 데이터를 샘플링하여 디지털 형태로 변환한 데이터 외부의 음파가 마이크와 같은 입력기기를 거치면 연속적인 전압차를 갖는 전자신호로 변환된다.  음파의 변화량과 전자신호의 전압 변이량은 서로 상응한다.  아날로그 녹음기의 녹음헤드는 이 신호를 자성체의 테이프 위에 자기의 변화로서 기록한다.  그러나 디지털 ..
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 [일반물리학 실험] 키르히호프의 법칙 ( 7Pages )
[일반물리학 실험] 키르히호프의 법칙 1. 목적 여러 개의 고리로 된 회로에서 흐르는 전류와 전압을 계산하고 키르히호프의 법칙을 이해한다. 2. 실험 기구 키르히호프의 법칙 실험기(SG-6110), 직류전압계(SG-6178), 색 코드된 저항체(30k, 68k, 100k, 220k), 건전지(1.5V × 2ea) 3. 기본 원리 여러 개의 전기 저항과 전원이 연결된 복잡한 회로에서 각 부분을 흐르는 전류와 전압 사이에는 다음과 같..
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 [기계계측공학] 측정 장비 조사 - 스트레인 게이지 휘트스톤 브릿지, 로드센서, 토크센서 ( 32Pages )
측정 장비 조사 스트레인 게이지 휘트스톤 브릿지 로드센서 토크센서 차례 1 스트레인 게이지 2 로드 셀 3 토크 센서 스트레인 게이지 스트레인 게이지 (Strain gauge )란 기본 구조 기본 원리 금속 저항선은 외력에 단면적과 길이가 변화함으로써 전기저항이 변함 =L/L(변형률) 휘트스톤 브릿지 Strain Gauge의 저항 변화는 미소한 값이므로 휘스톤 브릿지 회로를 이용해서 전압으로 변환 키..
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 가변저항 ( 2Pages )
실험보고서 실험개요 가변저항을 이용하여 멀티미터 내부의 저항을 측정하는 실험이다. 먼저 저항을 연결한 뒤 전류를 1.5mA가 흐르도록 15V 전압을 연결한다. 그 상태에서 가변저항을 병렬로 연결한 뒤 가변저항에 1.5mA의 40%인 0.6mA가 흐르도록 저항값을 조절한다. 그 다음 전압을 30V로 높이고 가변저항의 저항값을 변화시켜 1.5mA가 흐르도록 조절한다. 그때의 저항값을 측정하면 100Ω값이 측정된다...
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 기계공학 실험 - 멀티테스터 작동법 ( 3Pages )
멀티테스터 작동법 요 약 회로에 걸리는 전악과 전류를 측정하고, 옴(ohm) 의 법칙과 카르히호프(kirchhoff)의 법칙에 대하여 알아본다. 또한 저항값에 대한 색코드에 대해서도 알아보기로 한다. 1. 서 론 전압, 전류 및 저항 등의 값을 하나의 계기로 측정할 수 있게 만든 기기로, 회로 시험기라고도 한다.이 기기로는 단락 점검과 다이오드, TR 및 기타 여러 가지 전자 부품의 양부(良否) 판별도 할 ..
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 [실험보고서] MOSFET의 특성 ( 2Pages )
MOSFET의 특성 1. 실험 목적 - NMOS 소자의 Vt 를 측정하고 측정된 값들을 통해 K를 계산한다. - NMOS 소자의 특성곡선을 측정하고 이를 통해 와 rc 를 계산한다. 2. 실험 결과 A. 소자 문턱 전압의 측정 ....
리포트 > 자연과학 |
 다이오드의 특성 측정 ( 3Pages )
1. 실험 목적 (1) 반도체 다이오드(diode)의 순방향 및 역방향의 전압 전류 특성을 이해한다. (2) 실리콘과 게르마늄 다이오드의 문턱 전압을 측정한다. 2. 이론 (1) 다이오드 반도체 다이오드는 셀레늄(selenium : Se)을 주체로 한 것과 실리콘(silicon : Si), 게르마늄(germanium : Ge)을 주체로 한 것이 있으나 정류용으로는 Si이 주로 쓰인다. [그림 19-1] 다이오드의 기본 구조 다이오드는 그림..
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