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| 제목 : 실험 16. 키르히호프 전압법칙 (단일전원)
1. 관련이론
- 그림에서 RT = R1+R2+R3+R4로 정의된다. 직류회로 이므로 IT는 RT에 영향을 받지
않으므로 옴의 법칙에 의해 VT=IT*RT 이다. 이식을 전개하면 VT = IT(R1+R2+R3+R4)
가 되며, 식의 전개는 V= IT*R1+IT*R2+IT*R3+IT*R4 이다. 이것을 통해
IT*R1 = V1
IT*R2 = V2
IT*R3 = V3
IT*R4 = V4
로 정의 하고 이를 통해 V = V1+V2+V3+V4 가된다. .. |
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| 본 자료는 공업전문대학교 전기공학, 전자공학과의 전력변환실습 과목 강의에 이용되는 자료로서 MOSFET Single-Phase Inverter에 대해 상세하게 설명하였으며, 실습에 꼭 필요한 자료임.
1. 실험 목적
2. 관련 이론
가. 인버터로서 4상한 쵸퍼의 이용
나. PWM과 180도-변조 단상인버터
3. 실험 요약
4. 실험 순서
가. 4상한 쵸퍼를 이용한 직류전력의 교류전력변환
나. 두 개의 MOSFET로 구성.. |
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| 1. 실험제목 : 고체부문, 동적하중 측정 및 원리
2. 실험목표
하중을 측정할 때에 일반적으로 사용하는 로드셀의 원리를 이해하고, 또한 실제로 로드셀을 이용하여 충격량을 측정, 결과를 계산해본다. 이러한 과정을 운동량과 충격량의 관계에 대하여 고찰해보고, 이론적으로 구할 수 있는 결과와 실험으로 구해지는 결과를 비교, 분석해본다.
3. 실험이론
[로드셀의 원리]
스트레인 게이지식 로드셀.. |
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| 본 자료는 공업전문대학교 전기공학, 전자공학과의 전력변환실습 과목 강의에 이용되는 자료로서 사이리스터 단상브리지 정류기/인버터에 대해 상세하게 설명하였으며, 실습에 꼭 필요한 자료임.
1. 실험 목적
2. 관련 이론
가. 사이리스터 단상브리지
나. 두 개의 사이리스터와 두 개의 다이오드를 갖는 브리지 정류기
다. 정류기와 인버터 모드
3. 실험 요약
4. 실험 순서
가. 수동부.. |
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| 오실로스코프/신호발생기 실험
오실로스코프
《 실험목적 》
- 오실로스코프(Oscilloscope)의 동작원리에 대하여 이해한다.
- 오실로스코프의 사용방법을 익힌다.
- 함수발생기(Function Generator)의 사용법을 익힌다.
- 파형관측, 전압, 주파수 및 위상측정 방법을 익힌다.
- 리사쥬 도형에 의한 위상차를 측정한다.
《 관련이론 》
- 오실로스코프
시간에 따른 입력전압의 변화를 화면에 출력하.. |
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| 일반물리학 실험 - 기초회로실험
1.실험제목
-기초회로실험
2.실험목적
-저항체의 양 끝에 걸리는 전압에 따라 이 저항체에 흐르는 전류의 변화를 조사하여, 일반 저항체에 대한 옴의 법칙과 이의 저항 값에 대한 색 코드를 확인하고, 반도체 다이오드의 전기(정류) 특성을 본다. 이를 통하여 물질에 따른 전기특성의 차이를 비교하여 본다.
3.관련이론
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| 축전기와 전기회로
목 차
1. 실험목표
2. 배경이론
3. 실험 방법
4. 실험 결과
5. 고찰
축전기와 저항의 변화에 따른 전압-시간 그래프의 변화
축전기의 직렬과 병렬 연결의 차이 와 저항의 크기에 따른 차이
실험 목표
저항의 직렬 병렬 연결
저항이 직렬 연결 일 때 합성저항
저항이 병렬 연결 일 때 합성저항
배경 이론-1
축전기의 직렬 병렬 연결
축전기의 병렬연결
축전기의 직렬연결
배경 이론-2
1. .. |
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| 일반물리학 실험 - 전기저항
1. 이론 요약
A. 옴의 법칙
어느 저항체에 걸리는 전압 와 이에 흐르는 전류 의 비율을 전기저항 이라 하며 다음과 같은 식으로 표현할 수 있다.
여기서 전기저항 은 물질의 종류, 모양, 크기, 온도 등에 따라 달라지며, 걸린 전압 에 따라서도 달라질 수 있다. 보통 저항체의 경우에는 걸린 전압 와 전류 가 일정한 상수 비율(전기저항 )로 주어지는 것을 옴(Ohm)의 법칙이.. |
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| 논리회로 실습보고서 - 기본 논리 게이트
7404 IC 핀 배치도를 참조하여 6개의 게이트 중 1개를 선정하여 그림의 NOT 게이트 회로를 구성한다. 7404의 7번 핀은 접지하고, 14번 핀은 +5V의 전압을 인가한다. 1번 핀에 입력신호를 넣고 2번 핀에서 출력을 관찰한다. 입력의 상태를 표와 같이 변화시키면서 출력 상태를 기록하여라.
AX0110
▌시뮬레이션▐
회로
결과
7432 IC 핀 배치도를 참조하여 4개.. |
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| 테브냉의 정리 실험, 노턴의 정리
1. 실험 목적
[ 테브냉의 정리 ]
▣ 단일 전압원의 DC회로의 등가 저항(RTH)과 등가 전압(VTH)을 구하는 방법을 익힌다.
▣ 직∙병렬 회로의 분석시 RTH와 VTH의 값을 실험적으로 확인한다.
[ 노턴의 정리 ]
▣ 한 개 또는 그 이상의 전압원을 가지는 직류 회로에서 노턴의 정전류원 IN과 노턴의 전류원 저항 RN값을 확인한다.
▣ 두 개의 전압원을 가지는 복잡한.. |
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Oscilloscope and Function Generator
요약-오실로스코프와 함수발생기와 프로브를 직접 사용해 봄으로써 기능과 사용법을 익히고 파형을 함수발생기를 통해 만들어보고 값을 변경해 보면서 오실로스코프로 파형을 측정하여 어떤 영향을 주는지 관측한다. 또한 Duty Ratio의 변화에 따른 파형의 변화와 계산법을 알아보고 이를 응용한 사례에 대해 알아본다.
I. 실험의 필요성 및 배경
오실로스코프.. |
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| 생활속의 전기전자
일반전기전자
1장전기란 무엇인가
1.1 전기의 본질
원자의 모형
- 전기는 기원전 600년경 그리스 시대에 호박이라는 그리스어 ‘Elektron’ 에서 유래
- 자기는 기원전 1600년경 그리스 시대에 자철광을 의미하는 ‘Magnes’ 에서 유래
- 전하량의 단위는 쿨롱(coulomb) [C]
그림 1-2 원자 모형의 예
원자 모형의 예
괄호 안의 숫자는 원자에 함유된 전자의 수
그림 1-3 자유전자의 개념
1.1.. |
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| 에미터 공통증폭기의 바이어스와 이득
실험목적
(1)전압 분배바이어스를 이용하여 에미터 공통교류증폭기를 구성한다.
(2)에미터 공통증폭기의 전압이득을 측정한다.
(3)증폭기 이득에 관한 에미터 바이패스 커패시터의 영향을 관찰한다.
실험기기 및 재료
(1)직류전원장치, 오실로스코프, 함수발생기
(2)저항 :560Ω, 1KΩ, 8.2kΩ, 18kΩ, 220kΩ
1/2W
(3)콘덴서 :22F 50V, 100F 50V
(4)트랜지스터 :2N6004
(5).. |
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| 디지털 논리회로 설계 및 실습 - 논리 프로브 구성 결과 보고서
1.실험 목표
□ 7404 인버터를 사용한 간단한 논리 프로브(logic probe) 구성.
□ 구성된 논리 프로브를 사용하여 회로 테스트
□디지털 멀티미터와 오실로스코프를 사용하여 논리 레벨 측정과 유효 입력 논리 레벨비교
2.이론 요약
이번실험에서의 회로는 간단한 논리 프로브이며 회로에서 HIGH와 LOW 논리 레벨의 존재를 검출하는 데 유용하.. |
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| 논리 게이트의 특성 및 연산회로
1. 실험 목적
- 논리게이트는 디지털 회로를 구성하는 기본단위이다. 논리게이트(TTL74LS04)입출력의 전기적 특성을 실험을 통해 알아보고, 논리식을 조합논리회로로 구현하고 실험을 통해 진리표를 얻어본다.
2. 실험 해설
디지털 시스템에서는 이진법을 사용하여 모든 연산을 수행한다. 이진법 연산에는 부울대수가 사용되고, 부울대수의 함수를 논리식이라고 하다. .. |
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