전체 (검색결과 약 8,238개 중 38페이지)

 물리학 실험 - 옴[Ohm]의 법칙 ( 6Pages )
Ohm의 법칙 1. 제목 Ohm의 법칙 2. 목적 저항체와 기전력으로 구성된 회로에서의 전압과 전류를 측정하여 옴(Ohm)의 법칙과 키르히호프(Kirchhoff) 법칙을 이용해 저항을 구한다. 3. 결과 옴의 법칙 실험장치에 의한 저항 측정 (1) 단일회로 횟수 (측정) (멀티미터) 결과 그래프 [] 100 50 2 0.35 8.1 3 0.83 17.5 4 1.3 27 5 1.77 36.4 6 2.23 45.5 7 2.7 54.9 8 3.16 64.1 9 3.62 73.2 10 ..
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 가속도계의 교정과 진동측정(3) ( 16Pages )
Ⅰ. 실험명 가속도계의 교정 및 진동측정 Ⅱ. 실험목적 오실로스코프가 정확한 전압과 주파수를 그래프에 나타낼 수 있도록 조정하는 방법을 안다. 가속도계의 작동원리를 이해하고, 교정기와 가진기를 이용한 가속도계의 교정법에 대해서 알아본다. 마지막으로 강 보의 진동 측정을 통해 강 보의 고유진동수를 찾고, 실험을 통하여 얻은 을 계산한 과 실제로 주어진 의 오차를 계산하고 오차의 원인을..
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 기계공학실험 - 신호의 의미와 측정 ( 7Pages )
[ 신호의 측정 A/D Converter ] [ 신호의 의미와 측정 ] 1. 기본이론 - 신호라는 말을 접했을 때 가장 기본적으로 떠올릴 수 있는 신호로는 디지털신호와 아날로그신호일 것이다. 일상생활에서 흔히 접할 수 있는 단어들이지만 자세한 설명을 해보겠다. 그리고 신호와 관련된 용어들에 대해서 정리한 다음 그와 관련된 실험을 해보았다. 2. 아날로그와 디지털 신호 1) 아날로그 : 0과 1이라는 신호..
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 물리학 실험 - 최대전력전달 ( 3Pages )
1. 실험 제목 : 최대전력전달 2. 실험 목적 - 본 실험을 통해 ∎저항에 따른 전력의 변화를 통해 전려고가 저항과의 관계를 안다. ∎부하저항의 전력이 어떤 경우에 최대을 가지는지 확인한다. ∎가변저항의 사용법을 숙지한다. 3. 실험 준비물 -디지털 멀티미터(DMM) -직류 전원 공급기(Power Supply) -저항(4개) : 1k, 3.3k, 10k, 가변저항 10k -기판(BreadBoard) -전선, 니퍼, 집게코드 4. 실험 ..
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 크로마토그래피 ( 4Pages )
크로마토그래피 결과 레포트 ※ 실험방법 ① silica gel을 고정시킨 후 아래에서 2cm 떨어진 곳에 표시한후 준비한 glycine, methionine, BSA, ricin을 순서대로 1cm 간격으로 떨어뜨려 찍는다. ② 피펫으로 5을 찍은 후 드라이로 말리고 다시 찍고 말리고를 5번 반복한다. ③ 전기 용매(n-butanol: acetic acid : water= 3: 1: 1로 섞은 용액)이 든 chamber에 넣는다. ④ 발색제( KMnO₄0.55g + 0.1N NaOH ..
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 물리학 실험 - 전류와 자기장, Lenz의 법칙 ( 10Pages )
*제목: 전류와 자기장, Lenz의 법칙 *목적: 전류가 흐르는 원형도선의 자기장을 관찰하고, 자기장과 전류와의 관계 자기장과 거리와의 관계를 검토한다. 또 이 원형도선에 외부자기장을 가하여 이를 변화시키면, 유도기전력이 발생함을 관찰한다. *방법: 1부 컴퓨터 1. 자기장 센서를 아날로그 채널A, 전압센서를 아날로그 채널 B에 연결한다. 그러나 실험2에서는 자기장센서만, 실험3에서는 전압센서만 ..
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 등속 등가속도 ( 27Pages )
등속 등가속도 운동 차례 실험1. 평균속도와 순간속도 (Kinematics; Average vs. Instantaneous Velocities) 실험2. 마찰계수(coefficient of friction) 실험3. 뉴턴의 제2 법칙 가속도 측정 (Newton’s Second Law ; Predicting Accelerations) 실험4. 경사면에서의 가속도 (Acceleration Down an Incline) 실험1 평균속도와 순간속도 목적 이 실험에서 동역학 수레는 일차원 가속도 운동을 조사..
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 Ellipsometer[엘립소미트리- 타원평광해석] ( 3Pages )
◆ Ellipsometer (타원평광해석) 타원평광의 해석은 응용 박막광학으로 확립되었으나, 그 후 논리해석이 복잡해서 숙련된 소수의 전문가 밖에는 이용 할 수 없었다. 그러나 마이크로컴퓨터에 의한 측정과 계산을 자동적으로 하는 측정기가 시판되어 현재는 널리 사용되고 있다. 투명한 박막과기판의 경계면에 반사하는 광의 반사율과 편광각을 측정함으로써, 막의 굴절율과 광학적 두께를 동시에 구할 수 ..
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 화학공학 실험 - 기체확산계수의 측정 ( 8Pages )
화학공학 실험 - 기체확산계수의 측정 1.서론 확산계수는 물질의 이동속도를 지배하는 중요한 인자이며, 온도, 압력, 조성의 영향을 받는다. 기상에서 조성의 영향은 적고 절대온도의 n승에 비례하며 압력에는 반비례한다. 본 실험에서는 Stefan 확산 cell을 이용하여 ethanol, acetone, ethyl ether이 공기나 질소 중으로 증발할 때 확산계수를 측정하여 문헌 이나 각종 추산식에 의한 계산과 비교..
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 물리와 실험 - 단진자 운동 ( 5Pages )
물리와 실험 - 단진자 운동 1.실험제목 -단진자 운동 2.실험목적 -단진자의 주기와 길이, 주기와 질량, 주기와 각도와의 관계를 알아보고 중력가속도의 측정한다. 3.관련이론 -질량을 무시할 수 있는 길이인 끈에 질량 m인 추가 매달려 주기운동을 하는 것을 단진자라고 하고 이때의 운동을 단진자 운동이라고 한다. 실이 연직방향과 만큼 기울어져 있을 때 추에 작용하는 힘은 실의 장력 T와 중력 ..
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 아날로그 신호와 디지털 신호의 정의 및 차이점 ( 3Pages )
INDEX 1. 아날로그란 무엇인가 2. 디지털이란 무엇인가 3.아날로그와 디지털의 차이점 1.아날로그란 무엇인가 사전적 정의에 따르면 아날로그란 연속적으로 변화하는 물리량을 표현하는 데 사용하는 용어로서 예를 들면, 전압, 전류의 변화 또는 크기를 눈금으로 표시하는 것과 같은 표현이다. 일반적으로 음성, 영상은 연속적으로 변화하는 아날로그양이지만 이를 디지털로 변환하여 처리하는 방법과..
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 반도체 공정 - ellipsometer[엘립소미트리]에 대해서 ( 3Pages )
◆ Ellipsometer (타원평광해석) 타원평광의 해석은 응용 박막광학으로 확립되었으나, 그 후 논리해석이 복잡해서 숙련된 소수의 전문가 밖에는 이용 할 수 없었다. 그러나 마이크로컴퓨터에 의한 측정과 계산을 자동적으로 하는 측정기가 시판되어 현재는 널리 사용되고 있다. 투명한 박막과기판의 경계면에 반사하는 광의 반사율과 편광각을 측정함으로써, 막의 굴절율과 광학적 두께를 동시에 구할 수 ..
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 전자회로실험 - 공통이미터 증폭기와 이미터 폴로어의 조합 ( 7Pages )
공통이미터 증폭기와 이미터 폴로어의 조합 1. 실험목적 이 실험의 목적은 공통이미터 증폭기와 이미터 폴로어를 조합한 증폭기의 동작특성을 알아보는 것에 있다. 즉 컬렉터로부터 얻는 출력신호에 관한 한 전압이득이 1이면서 입력신호와의 위상차가 180°인 공통이미터 증폭기의 특성과 이미터 폴로어로부터 얻은 출력신호와 입력신호의 위상이 같음을 확인하는 것에 있다. 2. 배선(회로)도 [그림 1] ..
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 실험보고서 - 실험용 초자류의 원리 및 조작 ( 4Pages )
1. 제목 : 실험용 초자류의 원리 및 조작 2. 날짜 : 3. 이름 : 4-1. 실험목적 : ① 실험에 사용될 여러 가지 기구를 알아본다. ② 현미경의 사용법을 익힌다. ③ 마이크로미터를 이용해 세포의 크기를 측정하는 방법을 익힌다. 4-2. 실험원리 : 대물렌즈의 근처에 물체를 두고 대물렌즈에서 만들어지는 도립된 실상을 대안렌즈의 초점 내에 두어 대물렌즈로 만들어지는 도립된 실상보다 더 확대된 상을..
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 [전자회로실험] 증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱 결과 ( 5Pages )
실험 .증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱 1.Orcad 결과 1) ID - VGS 특성 -회로- -파형- 2) ID - VDS 특성 -회로- -파형- 3) 마디전압 -회로- -파형- 4)드레인 전류 -회로- -파형- 2.실험 결과 n-채널 MOSFET 의 ID - VGS 특성 측정 VGS(V) 10 VDS(V) 1234579 11 ID(mA) 0 0.142 0.424 3.760 6.832 14.654 23.582 33.101 n-채널 MOSFET 의 ID - VDS 특성 측정 VGS(V) 2 VDS(V) 1234579 11..
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