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| 【 1 】 실험 목적
Wheatston s bridge의 구조와 사용법을 익히고, 미지 저항체의 전기저항을 측정하여본다.
【 2 】 실험 예비지식
(1) 그림과 같이 브리지회로에서 스위치 S1, S2를 닫앗을 때 검류계의 바늘이 0점을 지시하였다면 이다. 그러므로 측정할 저항 X는 이다.
여기서, P/Q : 비례변 R : 알고 있는 가변 저항
휘스톤 브리지 원리
(2) 검류계는 미소 전류를 측정하는 계기이므로 큰 전류가 흐리.. |
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| 실험 제목 : RC 회로의 시상수 측정
실험 목적 : 전류가 저항을 통하여 축전기에 충전과 방전되는 과정을 실험으로 관찰하고, 회로의 RC시상수의 의미를 이해한다.
실험 원리
1. 충전과정
다음과 같은 회로에 스위치 S를 위치 a로 하였을 경우 알아보자
X점에서 출발하여 회로를 시계방향으로 폐회로 정리를 적용하면 이 된다. 이들 사이에 와 같은 관계가 있으므로 대입해 풀어나가면 시간에 대해 미분.. |
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| 1.실험 방법
① 모든 밸브가 잠겨있는지 확인한다.
②증착시키려는 소스를 철판 위에 작은 시약 스푼으로 한 스푼 올려놓는다.
③ 셔터를 닫은 상태에서 슬라이드를 끼운다.
④ Rotary Pump Switch를 ON으로 한다.
⑤ Rough Valve를 풀어준다.
⑥ 진공의 정도를 까지 (Tube 안이 무색이 될 때) 확인한다.
⑦ Rough Valve를 잠그고, Foreline Valve를 연 후, Diffusion Pump를 ON으로 한다.
다.
⑧ Foreline Valve를.. |
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| P-N 접합
[그림 1]
[그림1]은 분리되어 있는 P형 반도체와 N형 반도체의 내부를 보여주고 있다. P형 반도체 내부에는 무수히 많은 정공이 존재하고 N형 반도체에는 전자가 존재하고 있다.
P형 반도체를 외부에서 보았을 때 전기적으로 중성이다. 왜냐 하면 (+) 성질을 가지는 정공과 (-) 성질을 가지는 이온이 서로 결합되어 있어 전기적으로 중성이 된다.
P형,N형의 (+,-)이온들은 질량이 무겁기 때문.. |
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| 실험- 솔레노이드 자기장
1. 실험 목적
직선도선, 원형도선 및 솔레노이드 코일에 전류가 흐를 때, 도전 주위의 자기장의 세기를 측정하여 이론적인 자기장 분포 곡선과 일치하는가를 알아보고 암페어의 법칙 및 비오-사바르의 법칙이 성립하는지를 확인한다.
2. 데이터
(1) 실험결과
① 직선 도선 주위의 자기장 측정
Data (I = 5.0A)
도선으로부터의 거리(cm)
측정값(G)
이론값(G)
오차(G)
오차율(%)
1.. |
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| 목 적
병합증폭기와 직접결합 또는 변압기결합에 의한 연쇄증폭기의 동작원리를 이해하고, 각각의 특성을 파악한다.
이 론
(1) 병합증폭기
와 병렬로 연결되는 우회커패시터가 없다는 점이 이미터공통증폭기와 다르고, 출력이 컬렉터측에서 취해지는 점이 이미터 폴로워와 다르다. 가 우회되지 않으면 귀환의 성격을 지니게 되며, 증폭특성이 많이 달라진다.
병합증폭기의 입력저항은 보통 이미터공통.. |
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| 본 자료는 공업전문대학교 전기공학, 전자공학과의 디지털 회로 실습 과목 강의에 이용되는 자료로서 전자부품회로설계의 기초에 대해 상세하게 설명하였으며, 실습에 꼭 필요한 자료임.
1. 개요
1.1 전압, 전류, 저항
1.2 직류와 교류
1.3 주파수와 주기
1-4. 회로의 기본법칙
2. 전자 부품의 종류 및 사용방법
2.1 저항
2.2 콘덴서
2.3 다이오드
2.4 트랜지스터
2.5 OP AMP (반전 증.. |
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| 실험 .증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱
1.Orcad 결과
1) ID - VGS 특성
-회로-
-파형-
2) ID - VDS 특성
-회로-
-파형-
3) 마디전압
-회로-
-파형-
4)드레인 전류
-회로-
-파형-
2.실험 결과 값
n-채널 MOSFET 의 ID - VGS 특성 측정
VGS(V)
10
VDS(V)
1234579
11
ID(mA)
0
0.142
0.424
3.760
6.832
14.654
23.582
33.101
n-채널 MOSFET 의 ID - VDS 특성 측정
VGS(V)
2
VDS(V)
1234579
11.. |
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| 바이오센서의 원리와 구성
1. 바이오센서의 원리
기본적으로 바이오센서의 원리는 효소를 이용하면 화학 물질을 선택적으로 식별할 수가 있다는 점에서 기인한다. 이 식별결과를 전기 신호로 변환시키는 것이 물리화학 디바이스이다. 각종 물리화학 디바이스가 센서의 트랜스듀서로 이용되고 있으며 그 중에서 가장 많이 이용되는 것은 전극이다.
효소의 촉매 기능을 이용하여 화학 물질을 식별하는 경우.. |
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| 솔레노이드 자기장
1. 실험 목적
직선도선, 원형도선 및 솔레노이드 코일에 전류가 흐를 때, 도전 주위의 자기장의 세기를 측정하여 이론적인 자기장 분포 곡선과 일치하는가를 알아보고 암페어의 법칙 및 비오-사바르의 법칙이 성립하는지를 확인한다.
2. 데이터
(1) 실험결과
① 직선 도선 주위의 자기장 측정
Data (I = 5.0A)
도선으로부터의 거리(cm)
측정값(G)
이론값(G)
오차(G)
오차율(%)
1
0.45
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| 반도체공정이론
◎ 반도체 공정
1) 반도체
도체와 부도체의 중간물질로 전기저항값이 도체와 부도체의 중간값을 가지는 물질을 말한다.
가) 진성(眞性) 반도체 : 순수한 규소(Si)와 게르마늄(Ge) 등은 저온에서는 부도체에 가깝고, 고온에서는 도체에 가깝다.
* 실리콘 단결정은 실리콘 원자가 규칙적으로 늘어서 있다. 한 개의 실리콘 원자는 최외각에 4개의 전자를 가지는 주기율표상에 4족 원소이며, .. |
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| Resistor, capacitor,
Inductor의 특성과 응용
목 차
저항기(Resistor)란
전기회로에서 전류의 흐름을 막아서 회로의 작동, 제어를 하는 부품
탄소피막 저항기
(Carbon Film Resistor)
가장 널리 사용되는 저항의 형태
탄소 분말을 입히고 나선형 홈을
파서 저항값 조절
절연 유무에 따라서 비절연형,
간이절연형, 절연형 등으로 나뉨
전자 회로에 널리 사용
탄소피막 저항기 특징
솔리드저항기
(Solid re.. |
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| 1. 실험 제목
- 키르히호프의 법칙
2. 실험 목표
-키르히호프의 법칙이 실제 성립하는지 실험으로 확인해 보자
1. 한 접합점에서의 전류의 대수적 합이 0인지 확인해 보자
2. 한 회로에서 전압 상승과 하강의 대수적 합이 0인지 확인해 보자
3. 실험 재료
1) 사용 기기
- 디지털 멀티미터
- 전원공급기
2) 사용 부품
- 저항 : 1k, 3.3k, 4.7k, 10k
4. 실험 과정
(1) 사용기기
- 직류 전원공급기
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| 실험 5 FET
요약 - FET가 각 조건에 따라 어떻게 동작하는지 바이어스, 동작점, 증폭 작용, 스위치 작용 사이의 상관관계를 인식한다. 아울러 동작점이 회로 및 소자와 어떻게 연관되어 있는지 이해한다.
Ⅰ. 실험의 필요성 및 배경
FET의 실험을 통하여 동작에 대한 특징을 이해함으로써 FET를 이용한 증폭회로, 스위치회로를 해석하고 구현할 수 있다. 또한 BJT와의 차이를 확인함으로써 FET의 장점과 .. |
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| 전기(電氣)의 본질(本質)
수요일(1-3교시) 302분반
기초전기전자
원 자 구 조
전자
원자핵
양성자
중성자
헬륨의 원자모형
원자핵
이 온
원자
원자
음이온
양이온
전자를 잃음
전자를 얻음
전자
전자
이온의 이동
전 자 유 도 현 상
전 자 유 도 현 상
전자유도 = 전자기유도
전자기 유도란
유도기전력 : 전자기유도에 의하여 유도된 기전력
유 도 전 류 : 전자기유도에 의하여 생긴 전류
(1) Coil .. |
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