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 전자공학실험 - 저항값 측정과 저항 합성 ( 5Pages )
전자공학실험 결과보고서 1. 실험 제목 : 저항값 측정과 저항 합성 2. 실험 목적 - 고정 저항의 색깔띠를 보고 저항값을 알아내는 방법을 익힌다. -저항 소자의 전류-전압 특성을 살펴 보고 옴의 법칙을 확인한다. -여러 저항으로 이루어진 회로의 등가 저항을 계산하고 확인한다. -간단한 회로도 작성법을 익힌다. 3. 실험 내용 1. 저항값 1.1 10 ~1 M 사이의 서로 다른 저항 소자를 선택하여 색깔 ..
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 화학 - 금속 산화물 및 질화물의 합성 및 특성 조사 ( 11Pages )
1.1.목적 알루미늄 착물을 이용하여 질화알루미늄(AlN)분말을 합성하고, AlN이 생성되는 반응과정, 즉 반응메카니즘을 추정해 본다. 1.2.이론 최근 반도체 소자의 소형화와 고집적화에 따라 회로 단위면적당 방출하는 열의 증가로 칩의 온도가 상승하여 회로의 신뢰도 및 수명이 떨어지는 문제점이 생기게 되었다. 따라서 회로에서 방출되는 열을 효율적으로 방출시켜 회로를 보호하기 위해 높은 열전도도..
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 기초전자실험 - 키르히호프의 법칙 ( 4Pages )
1. 실험 제목 - 키르히호프의 법칙 2. 실험 목표 -키르히호프의 법칙이 실제 성립하는지 실험으로 확인해 보자 1. 한 접합점에서의 전류의 대수적 합이 0인지 확인해 보자 2. 한 회로에서 전압 상승과 하강의 대수적 합이 0인지 확인해 보자 3. 실험 재료 1) 사용 기기 - 디지털 멀티미터 - 전원공급기 2) 사용 부품 - 저항 : 1k, 3.3k, 4.7k, 10k 4. 실험 과정 (1) 사용기기 - 직류 전원공급기 ..
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 LG디스플레이 연구개발 직무 첨삭자소서 ( 8Pages )
저에겐 회로 관련 과목들이 흥미로웠고 자연스레 높은 학점들을 받을 수 있었습니다. 그 다음 학기도 전자회로 1, 회로 이론 2, 반도체 소자, 물리전자와 같이 Display에 필요한 과목들 위주로 배워 높은 학점들을 받게 되었습니다. 대학교 2학년 처음으로 전자회로 1과목을 듣게 되면서 회로 설계를 배웠습니다. 이제 LCD는 OLED에 버금가는 좋은 Contrast를 갖게 될 것입니다. OLED는 LCD에 비해 backligh..
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 [계측 및 신호 처리] 미분기, 적분기 결과 ( 10Pages )
[계측 및 신호 처리] 미분기, 적분기 결과 목 차 1. 실험 목적 2. 기본 이론 3. 실험기구 4. 실험 과정 5. 실험 결과 6. 실험 이론값 7. 고찰 1. 실험 목적 OP-Amp를 이용한 미분기 적분기 회로를 이해한다. 미분기 적분기의 입력과 출력 동작을 측정한다 미분기 적분기 회로에서 증폭도를 이론적으로 해석해 내는 방법을 알아본다. 2. 기본 이론 적분기 • 입력신호의 적분값에 비례하여 축력을 내는..
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 제어공학실험 - 1차 지연요소 ( 7Pages )
제어공학실험 - 1차 지연요소 1. 실험목적 입력에 대한 출력의 시간응답특성이 시정수에 의하여 1차 지연을 갖는 요소의 회로 해석 및 특성을 관측한다. 물리적으로 이런 시스템은 R-C회로나 열시스템 등을 나타낸다. 2. 실험회로 3. 실험순서 및 결과 실험 3.1 1차 지연요소의 실험회로를 구상하라. =10k, 는 최대가 되도록 설정할 것. 실험 3.2 함수발생기를 이용하여 입력전압 를 100Hz, 1구형파 ..
리포트 > 공학/기술 |
 [전기전자실험] RC RL 주파수응답 ( 6Pages )
실험 2 RC RL 주파수응답 요약 - 새로운 개념인 임피던스를 알아본다. 그리고 RC, RL회로에서 주파수에 따른 출력의 변화를 예측하고 커패시터와 인덕터의 특성과 관련지어 이해한다. 또한 커패시터와 인덕터의 특성을 이용한 filter에 대해서도 알아본다. Ⅰ. 실험의 필요성 및 배경 커패시터와 인덕터의 특성을 이해하여 실제 회로에서 어떻게 이용할 수 있는지 알 수 있다. 상황에 따른 적절한 소자의 ..
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 컴퓨터활용능력2급필기요약 ( 41Pages )
제1장 컴퓨터의 기초  1. 컴퓨터의 기초 (1) 컴퓨터(Computer)의 정의 1) 각종 자료를 전기적인 힘으로 자동으로 처리하는 기계로서 EDPS 또는 ADPS라고 함 2) 컴퓨터의 특징 : 신속성, 정확성, 대량성, 호환성, 자동성, 범용성 3) 컴퓨터의 주요 기능 : 입력기능, 기억기능, 연산기능, 제어기능, 출력기능 4) GIGO : 올바른 데이터가 입력되어야 올바른 결과를 얻을 수 있다는 컴퓨터의 수동..
시험/자격증 > 기술/공학 |
공학, 기술
 전기전자 - 트랜지스터의 발명, 트랜지스터의 구조, 트랜지스터의 종류, 트랜지스터의 기호와 명칭, 트랜지스터의 장단점, 트랜지스터의 증폭작용, 트랜지스터의 계측법 ( 11Pages )
트랜지스터의 발명, 트랜지스터의 구조, 트랜지스터의 종류, 트랜지스터의 기호와 명칭, 트랜지스터의 장단점, 트랜지스터의 증폭작용, 트랜지스터의 계측법 분석 Ⅰ. 개요 Ⅱ. 트랜지스터의 발명 Ⅲ. 트랜지스터의 구조 Ⅳ. 트랜지스터의 종류 1. 바이폴러 트랜지스터 1) 알로이(합금)형 트랜지스터 2) 메사형 트랜지스터 3) 플레이너현 트랜지스터 4) 에피택셜 플레이너 트랜지스터 2. 전계효과 트랜지스..
리포트 > 자연과학 |
 배치설계관리인말소등록신청서 ( 1Pages )
(접수인란) (결재인란) 담당 심사관 배치설계관리인말소등록신청서 신청인 (관리인 또는 배치설계권자) 성명 주민등록번호 주소 (전화번호) 국적 배치설계권설정등록번호 반도체집적회로의 명칭 권리의표시 등록원인 및 발생연월일 등록의목적 반도체집적회로의배치설계에관한시행규칙 제20조의 규정에 의하여 위와 같이 신청합니다. 년월일 신청인(관리인 또는 배치설계권자) (인) 특허청장..
서식 > 행정민원서식 |
 전기전자회로 실험 - 소비전력 및 최대전력전달 실험 ( 5Pages )
1. 실험제목 가. 소비전력 및 최대전력전달 실험 2. 실험목적 가. 전원부로부터 부하로 최대전력이 전달될 조건을 이해하고 이를 관찰한다. 나. 저항에서의 소모전력을 실험하고 확인하여 본다. 3. 관련이론 가. 최대전력이란 부하의 사용시에 발생하는 전력의 최대값 전력 부하는 사람들의 생활이나 생산 활동, 기상 조건 등을 반영하여 시시각각으로 변화하고 있다. 1년 동안이나 혹은 하루동안 어..
리포트 > 자연과학 |
 반도체와 초전도체 ppt 파워포인트자료 ( 49Pages )
반도체와 초전도체 Ⅰ실리콘계 반도체 Ⅱ화합물 반도체 Ⅲ초전도체 초기의 반도체 소자를 제작하는데 쓰인 물질은 Ge이며 현재는 Si 및 고속 또는 빛을 방출, 흡수하는데 필요한 소자로 화합물 반도체를 사용한다. 특히 실리콘은 정류소자, 트랜지스터 및 집적회로에 이용되는 아주 중요한 반도체 물질이다.
리포트 > 공학/기술 |
반도체, 초전도체, 초전도, 실리콘계 반도체, 화합물 반도체, 반도체물질의종류, 반도체의특성, 반도체의응용분야, 초전도체의원리, 초전도채의응용분야
 일반물리학 실험 - 페러데이법칙 실험 ( 4Pages )
일반물리학 실험 - 페러데이법칙 실험 1.실험제목 -페러데이법칙 실험 2.실험목적 -전자기 유도에 대한 패러데이법칙을 살펴보고, 1차 코일에 의해 유도된 2차 코일의 전압과 전류를 측정해보고, 실생활에 응용된 예를 살펴본다. 3.관련이론 -하나의 회로에 전자유도에 의해서 생기는 기전력 e(V)는 이 회로의 지속 쇄교수 N(Wb)의 시간 t(s)에 대한 변화비율에 비례함. 식은 e=-(N)/t로 나타낸다.변압기..
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 오실로스코프를 이용한 전압 및 주파수 측정 ( 23Pages )
오실로스코프를 이용한 전압 및 주파수 측정 목 차 실험목적 이론적 배경 예비 점검 실험 준비물 실험과정 결과 및 고찰 실험목적 측정을 위하여 오실로스코우프와 프로브를 점검한다. 오실로스코우프를 이용하여 교류와 직류 전압을 정확히 측정한다. 오실로스코우프를 이용하여 시간과 주파수를 정확히 측정한다. 이론적 배경 오실로스코프를 사용하기 전에 안전점 검으로 접지상태를 확인해야 하는..
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 전기전자 실험 - 공통 소스 트랜지스터 증폭기 ( 4Pages )
공통 소스 트랜지스터 증폭기 실험 순서 1. Idss와 Vp측정 a. Vdd=+20V, Rg=1MΩ, Rd=510Ω, Rs=0Ω으로 설정하고 그림 20-1의 회로를 구성하라. Vd의 값을 측정하고 기록하라. Vd(측정값)=18.95V 드레인 전류 Id의 값을 계산하라. Id(계산값)=2.06mA 이값은 Vgs=0V일 EO의 드레인 전류이므로 Idss와 같다. Idss=Id=2.2 d. 이제 Rs=1KΩ를 연결하라. 다음 값을 측정하고 기록하라. Vgs(측정값)=-0.63 V..
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