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| 반도체 공학 - 반도체 제조 공정 단계
목 차
1. 단결정 성장
2. 규소봉 절단
3. Wafer 표면 연마
4. 회로 설계
5. Mask 제작
6. 산화공정
7. 감광액 도포
8. 노광공정
9. 현상공정
10. 식각공정
11. 이온주입공정
12. 화학기상 증착
13. 금속배선
14. Wafer 자동선별
15. Wafer 절단
16. 칩 집착
17. 금속연결
18. 성 형
1. 단결정 성장
특수 공정을 이용해 웨이퍼 위에 전자회로를 새긴 후, 웨이퍼 위 .. |
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| [일반물리학 실험] R-C 시상수측정
1. 목적
직류전원에 의해 축전기에 전하가 충전되는 양상을 관찰하고, R-C 회로의 전기적 특성을 대표하는 시상수를 측정하여 축전기의 직력, 병렬연결에 대한 등가 전기용량을 알아본다.
2. 이론
축전기와 전기저항으로 구성된 R-C 회로에 키르히호프(Kirchhoff) 제2법칙을 적용하면
이 된다. 기전력 E의 전지로 충전할 경우와 완전 충전 후(축전기 양단 전위차가 E일.. |
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| ‘걸작다큐멘터리’에서 2008년 10월 28일에 방영된 ‘인체라는 놀라운 기계(Incredible Human Machine)’는 2007년에 내셔널 지오그래픽에서 만든 작품이다. 이 작품은 제목그대로 인체를 놀랍게 성능이 좋은 기계에 비유해서 심장을 펌프기로, 혈관을 도로로, 신경을 회로망으로 설명하고 있다. |
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| Stepping Motor에 대해서
스테핑모터의 개요
모터축의 회전이 스텝형식의 단계적인 방식으로 움직이는 모터.
하나의 pulse 신호가 주어지면 스텝 각도만큼 회전하고 정지한다.(예:200pulse의 모터의 1회전은 200펄스가 필요하며 1pulse에 1.8도의 회전이 있다.(360/200)
스테핑모터의 개요
Pulse의 수와 주파수에 따라 open loop 방식의 위치 및 속도제어를 함
*open loop(개회로) : 제어 신호를 주고도 .. |
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| BJT IC 및 동작특성 기술
◎ RTL (Resistor Transistor Logic)
◆ 기판 위에 저항을 부착시키고 거기에 트랜지스터를 설치해 모듈화시킨 IC
◆ 디지탈 IC로서는 최초
◆ 현재는 거의 사용치 않음
▷ 3- Input NOR 동작원리
입력 A,B,C 단자는 출력에 대하여 각각 병렬로 연결되어 있으므로 OR게이트로 동작한다. 트랜지스터의 출력 Y는 저항에 의하여 전압강하가 발생하여 NOT게이트의 기능을 가지므로 결.. |
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| 1. 실험 제목
[ Ohm의 법칙 ]
본 실험을 통해
∎ 전기회로에서 전압과 전류, 저항의 관계를 이해한다.
∎ 실험장비의 사용법과 측정법을 익힌다.
2. 관련이론
1. 전기저항(저항) : 전하의 흐름을 방해하는 소자나 그러한 소자의 전기적 특성을 나타내는 용어로서
통상적으로 기호 R로 표기한다.
저항의 크기를 나타내는 단위로는 옴(ohm, 기호[])을 사용한다. 1[]은 도체의 양단에 1[V]의
전압을 가.. |
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| 1. 제목 : 장비 측정 연습
2. 실험목적 : 옴의 법칙을 V = I 을 확인한다.
3. 실험이론 :
(1) 옴의 법칙
1826년 독일의 물리학자 G. S. Ohm이 발견했다. 옴의 법칙은 전기회로내의 전류, 전압, 저항 사이의 관계를 나타내는 매우 중요한 법칙이다. 전압의 크기를 V, 전류의 세기를 I, 전기저항을 R라 할 때, V=IR의 관계가 성립한다. 여러 개의 부하가 직렬로 연결된 직렬회로에서는 저항을 통과하는 .. |
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| ANDORNOT 게이트 실험
1. 실험 목적
▣ 논리 게이트인 AND, OR, NOT 게이트의 동작특성을 이해한다.
▣ AND, OR, NOT 게이트의 진리표와 논리식을 실험을 통해 확인한다.
2. 실험 결과
1 : (+), 0 : (-)
표 1 AND, OR, NOT 게이트 실험 데이터 (5V의 전압을 걸어 주었을 때)
A B C
전압
0 0 0
4.39 V
0 0 1
155 mV
0 1 0
4.38 V
0 1 1
155.2 mV
1 0 0
4.37 V
1 0 1
4.38 V
1 1 0
154.9 mV
1 1 1
155.3 mV
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| 주기억장치(main memory)는 컴퓨터가 동작하는 동안 데이타와 프로그램을
저장하고 있는 비교적 크고 빠른 속도의 메모리이며, 반도체 집적 회로 기술을
바탕으로 한다.
RAM은 두 가지 종류가 있는데, 정적(static)RAM은 하나의 이진 정보를 저장할
수 있는 플립플롭들로 구성되어 있어서 전원이 연결되어 있는 동안 저장되어
있는 정보를 유지한다. |
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| 1. 실험 목적
Kirchhoff의 법칙을 이해하고 실제회로에 이를 적용시켜 이론값과 측정값을 비교해 본다.
2. 원리
Kirchhoff의 법칙은 회로망의 전압이나 전류를 결정하는데 쓰이는 중요한 법칙으로서 옴의 법칙과 더불어 많이 쓰이는 법칙이다. 키르히호프의 법칙은 제 1 법칙인 전류법칙과 제 2 법칙인 전압법칙으로 구성된다.
1) 전류의 법칙
- 회로상의 한 교차점(node)에 들어오는 전류의 총합과 .. |
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| 과제 최종보고서
과제명
D. 100 원짜리와 500 원짜리 동전만 받아 1500 원짜리 물건을 출력하고 거스름돈을 지불해야 될 경우에는 이를 지불하는 자판기를 설계하라.
팀번호
지도교수
참여연구원
(모든 팀원)
이 름
학 번
전화번호
E-mail
과제추진일정
(팀 전체의 일정을 기재)
연구 기간
주요연구내용 및 결과물
3월16일∼4월4일
과제를 위한 기반 공부
4월5일∼4월16일
설계
4월21∼6월11일
가실험
6.. |
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기초전기전자실험
실험명 : 제너다이오드의 특성
2007-09-11
2
실 험 목 표
Zener Diode의 정전압원에 가까운 전류-전압 특성을 이용한 정전압원 회로에서 정전압원의 동작 특성과 제너다이오드 전류-전압 특성 사이의 상관 관계를 이해한다.
제너 다이오드의 pspice 모델을 이해함으로써 제너 다이오드가 포함된 회로의 pspice simulation 능력을 배양한다.
2007-09-11
3
기 본 이 론
① 부하선(Lordli.. |
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| LPF와 HPF설계
1. 실험요약
RC 및 RL 회로에서 입력되는 교류전압의 주파수응답을 이해하고 이를 응용하여 LPF, HPF를 설계한다. 또한 이들의 특성을 이해한다.
LPF 회로와 HPF 회로를 설계하여 주파수에 따른 출력전압에 대한 입력전압을 관찰한 결과 LPF의 경우 주파수가 높을수록 전압이 낮아졌고 HPF의 경우 주파수가 낮을수록 전압이 낮아졌다 .LPF 회로와 HPF 회로는 같은 입력이라도 주파수에 따라.. |
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| [ 목적 ]
Load cell의 구조 및 특성을 알기위해 스트레인 게이지를 이해하고, Load cell 변환 회로의 동작을 이해하는데 있다.
[ 이론 ]
일반적으로 로드 셀이라 함은 하중을 가하면 그 크기에 비례하여 전기적 출력이 발생되는 힘 변환기의 총칭으로 스트레인 게이지(Strain Guage)식 로드 셀을 의미한다.
스트레인(Strain)이란 어떤 탄성체를 당기거나 밀면 변형이 일어나고 이때 줄거나 느는 양을 .. |
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| ▷차례
1. 메모리의 정의
2. 메모리의 동작
● Address bus와 data bus
● 메모리의 주소
3. 메모리의 성능 표시
● Access Time (tAC)
● Cycle Time (tCLK)
4. Memory Package 형태상 구분
● Simm과 DIMM
1)SIMM
① 30핀 SIMM
② 72핀 SIMM
2) DIMM
168핀 DIMM
5. Memory Chip의 분류
● RAM (Random Access Memory)
1) SRAM(Static Ram)
- SRAM의 종류
2) DRAM(Dynamic RAM)
- DRAM의 동작에 따른 분류
● ROM (Re.. |
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