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(검색결과 약 23,607개 중 53페이지)
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| 실험명
Regulator 설계
1. 실험 목적
다이오드의 여러 가지 특성을 이용하여 정현파(sine wave)를 7~10V DC전압으로 만들려고 한다. 다음과정에 의해 과제를 수행해 보시오.
2. 실험 방법
(1) Full Wave Rectifier 회로를 이용하여 10V의 정현파를 양(Positive)의 반쪽(Half)의 sine파를 만들어보라. 이때 Full Wave Rectifier는 4개의 다이오드가 이용되는 Bridge 형태의 Rectifier를 이용하시오.
-.. |
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| 전자 회로 과제
과제명 : 트랜지스터의 동작 원리
이론
트랜지스터 : 일종의 전자 스위치(무접점 스위치)의 역할을 하는 반도체 소자로서 미국 벨 전화연구소의 바딘, 브러틴, 쇼클리 등에 의해 발명되었다. 반도체 소자로 게르마늄이나 실리콘을 사용하며 증폭, 발진, 변조등의 작용과 고속스위칭 소자로도 이용된다. 보통 트랜지스터를 읽거나, 회로상에 표기할 때에는 일반적으로 TR이라는 약자를 많이.. |
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| 1. 제목 : Pspice 사용법 및 시뮬레이션 실습
2. 목적
전자회로 실험을 위해 필수적인 ORCAD의 Pspice 도구를 이용하는 법을 익혀 간단한 회로를 설계하고 다음의 시뮬레이션을 시행하고 분석한다. DC sweep, DC Parametric Sweep, Frequency Response, Transient.
3. 이론
(1) opamp
이상적인 opamp의 입력 저항은 ∞, 출력 저항은 0, open loop gain은 ∞이며, V+와 V-의 값이 동일하고, 입력의 전류 .. |
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| 1. Title
미 ․ 적분 회로
2. Name
3. Abstract
R 및 C 소자를 이용하여 미분 회로를 구현하여 이를 측정함으로써 전자 회로 측면에서의 미분 개념과 적분 개념을 파악하고 R과 L을 이용하여 동일한 결과를 도출하는 방법을 확인하여 L과 C의 역할을 이해한다.
4. Background
(1) 커패시터의 전류, 전압 특성
a. 특성
커패시턴스의 관계식을 유도하기 위해 인가전압이 만큼 증가한다고 가정하자. 위판.. |
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| [건전지 내부저항 측정]
건전지와 직렬로 아래의 저항들을 접속하여 가면서 이 저항들이 을 대치하여 놓았다고 가정하고 양단의 전압 , (=), 을 측정하여 실험적으로 를 구하라.
저항
저항
180Ω
1.48289
1.47099
1.45616
2.2㏀
1.48289
1.48227
0.9202
검토사항
➀1차 전지와 2차 전지의 차이점을 설명하여라.
1차 전지는 1회용 전지이고, 2차 전지는 충전이 가능한 축전지이다. 2차 전지의 대표적인 것.. |
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| 국내 전자 집적회로 부분품 시장통계(2008년까지) 자료 입니다.(사업체수, 생산액, 출하액 포함)
* 시장통계 목차 *
1. 산업 동향
가. 조사범위
나. 제조업 동향(2008년만)
다. 상위 산업통계(2006년부터 2008년까지)
2. 시장 동향
가. 연간 시장통계(2008년까지)
- 사업체수, 생산액(백만원), 출하액(백만원)
나. 지역별 현황 분석
본 제공 자료는 국내 2008년까지 전자 집적회로 부분품의.. |
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| ◈ 실험목적
1. 반파정류기의 출력파형을 관찰하고 측정한다.
2. 전파정류기의 출력파형을 관찰하고 측정한다.
◈ 실험재료
오실로스코프
저항 : 1k 1/2W
전원변압기 : 110V/6.3V, 12.6V
실리콘다이오드 : 1N5625*4
스위치
◈ 이론
전자해설에서 능동소자가 동작하기 위해서는 직류전원을 능동소자에 적절히 인가해야 한다. 직류전류는 한쪽 방향으로 흐르므로 반도체 다이오드를 이용하면 교류를 직류로 바.. |
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| 국내 전자회로용 가변식 축전기(콘덴서, CAPACITOR) 시장통계(2008년까지) 자료 입니다.(사업체수, 생산액, 출하액 포함)
* 시장통계 목차 *
1. 산업 동향
가. 조사범위
나. 제조업 동향(2008년만)
다. 상위 산업통계(2006년부터 2008년까지)
2. 시장 동향
가. 연간 시장통계(2008년까지)
- 사업체수, 생산액(백만원), 출하액(백만원)
나. 지역별 현황 분석
본 제공 자료는 국내 2008년까지.. |
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| 전자 주사위
목 차
1.설계 목표
2.전자 주사위 회로도
3.전자 주사위 패턴도
4. 동작원리
- 비안정 멀티 바이브레이터(AMV)
회로와 스위칭 회로
- 비안정 멀티 바이브레이터 회로도
- IC 74LS92 카운터
- LED 배치와 74LS10, 74LS04 회로
5. 동작 모습
-비안정 멀티 바이브레이터
-전자 주사위
6. 실험 과정에서 겪은 에러 사항
7. 느낀 점
설계 목표
논리회로를 이용한 전자주사위 구현
IC칩을 .. |
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| 1. 목 적
차동 증폭기회로에서 DC와 AC전압을 측정한다
2. 실험장비
(1) 계측장비
오실로스코프
DMM
함수 발생기
직류전원 공급기
(2) 부품
◇ 저항
4.3k
10k
20k
◇ 트랜지스터
2N3823(혹은 등가) (3개)
3. 이론개요
▪ BJT 차동증폭기
차동 증폭기는 (+), 혹은 (-) 입력을 가지는 회로이다. 전형적인 동작에서 반대
위상의 입력은 크게 증폭되지만, 동위상의 출력에서 상쇄된다. 그림.. |
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| 전자회로 실험
실험 BJT의 특성 및 DC Bias 회로
실험 11.1 바이어스에 따른 BJT Transistor(CA3046)의 aF와 bF, 그리고 동작영역을 그림 7 회로의 실험을 통해 알아본다. VCC=10V, RC=10㏀
(1) VBB 전압을 조절하여 VB전압을 0~0.8 V의 범위에서 증가시키면서 컬렉터 전압 VC,가지 전류 IB, IC, IE를 측정한다. VB와 VC결과로부터 동작영역을 구하고, IB*,IC*,IE*값으로부터 aF와 bF를 구하여 표 2에 기록.. |
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| 트랜지스터 특성 실험
10조
목차
트랜지스터의 구조
기본적인 트랜지스터의 동작
트랜지스터 특성과 파라미터
트랜지스터의 구조
바이폴라 접합 트랜지스터
BJT(Bipolar Junction Transistor)
에피택셜 플래너(epitaxial planar) 구조
두 개의 pn 접합으로 나누어지는 도핑된 세 개의 반도체 영역으로 구성
이미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)
기본적인 트랜지스터의 동작
트랜지스터의 동.. |
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| ◈ 실험 제목 : 중첩의 원리
◈ 실험 목적 : 중첩의 원리를 실험적으로 확인한다.
◈ 실험 관련 이론
(1) 중첩의 원리
중첩의 원리는 고성능 음향계통, 전화, 방송 등 수많은 측정기기의 기본 원리가 되는 중요한 법칙이다.
중첩의 원리란 “다수의 전원을 포함하는 선형 회로망에 있어서 회로내의 임의의 점의 전류의 크기 또는 임의의 두 점간의 전압의 크기는 개개의 전원이 단독으로 존재할 때에 그 점.. |
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| Report
설계1 제안서
목차
1.실험 목표
2.관련 이론
3.브레인스토밍
4.브레인스토밍(결과)
5.사용재료
6.역할 분담
7.설계 일정
8.문제 및 해결방안
1.실험 목표
a)부품이해와 회로도 분석능력을 키우려 노력한다.
b)라디오를 설계함으로서 주파수의 원리에 대하여 숙지한다.
c)AM라디오를 제작하고 완성한다.
d)예상된 문제들을 해결해 본다.
e)조원들과의 협동심을 키운다.
2.관련 이론
1)AM전파.. |
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| 기초전기전자 실험 - 트랜지스터(고정 bias 회로설계)
1. 목 적
1)TR의 특성을 이해하고 특성중 전류증폭을 확인하라.
2)펑션 제너레이터를 이용하여 전류증폭작용을 DSO를 통해 확인하자.
2. 이 론
저번주 실험은 트랜지스터의 “스위치작용”였고
이번 실험은 “전류증폭”이다. 그래서 이론은 트랜지스터 이므로 동일하여
같이 사용하고 전류증폭에 관련된 것을 뒤에 더 추가하였다.
트렌지스터 (TR)
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