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| 제목: 열의 일당량
목적: 전기적 에너지로 발생시킨 열량을 측정하여 열의 일당량을 구한다.
원리: 역학적 에너지는 열 에너지로 열 에너지는 역학적 에너지로 변환시킬 수 있다. 이 때, 1 Kcal 가 일 몇 joule 에 해당하는가를 열의 일당량이라 한다. 따라서, 일 W와 열 량 Q사이에는 W=JQ 의 관계가 성립하며 J 는 열의 일당량이다. (
한편, 저항 R의 저항선에 전류 i 가 t초안 흐르면 열을 발생시키는.. |
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| 연료전지의 종류
1. 들어가며
연료전지에 쓰이는 전해질은 여러가지가 있는데, 쓰이는 전해질에 따라 연료전지의 특성이 크게 달라지므로 연료전지들을 전해질에 따라 분류하여 살피는 것이 편리하다.
2. 인산연료전지
이것은 산을 전해질로 쓰는 연료전지의 대표적인 것으로 이제까지 대용량 발전시설로 개발된 연료전지는 이 부류에 속한다. 85% 혹은 그 이상 농도의 인산을 쓰며 압력(~8atm)하에서 2.. |
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| 1. 다이오드
(1) 다이오드의 구조와 동작
다이오드 : + 의 전기를 많이 가지고 있는 p형 물질과 - 의 전기를 많이 가지고 있는 n형 물질을 접합하여 만든 것으로서, 한쪽 방향으로는 쉽게 전자를 통과시키지만 다른 방향으로는 통과시키지 않는 특성을 가지고 있다. p는 인듐(In)이나 갈륨(Ga)과 같은 물질을 규소에 합성하여 + 성분(hole:정공)이 많게 만든 물질이고, n은 비소(As)나 안티몬(Sb)과 같은 물.. |
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| 6)과학-전자석-여러 종류의 막대에 에나멜선을 감고 전지 연결하기(중안)
결재
지도교사
( 과학 )과 교수-학습 과정안
수 업 일
수업자
단 원
7. 전자석
교과서
과학 p.80-81
실관 p.58
( 3/8 )차시
학습형태
모둠활동
수업모형
가설검증 수업모형
학습주제
여러 종류의 막대에 에나멜선을 감고 전지 연결하기
학습문제
여러 종류의 막대에 에나멜선을 감아 자기장의 세기를 비교할 수 있다.
교 수.. |
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| ■ 볼타 전지
볼타 전지의 구성 :
(-)극: 양이온이 되기 쉬운 아연판 ( 아연이 황산 용액 속으로 녹아 들어간다.)
(+)극: 양이온이 되기 어려운 구리판( 구리판 주위에서 수소 기체가 발생한다.)
전해질 용액으로 묽은 황산을 사용하여 아연판을 녹인다.
볼타 전지의 원리 :
아연판 (-)극: 금속 아연은 수소보다 전자를 쉽게 잃고 녹아서 (+)이온으로 되어 황산 속으로 녹아들어간다.(황산 속의 H+ 보다 Zn.. |
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| 전자회로실험 - JEFT 바이어스 회로
목 차
1. 목적
2. 실험장비
3. 이론개요
4. 실험순서
5. 토의 및 고찰
1. 목 적
고정, 자기 전압분배기 바이어스 JEFT 회로를 해석한다.
2. 실험장비
(1) 계측장비
DMM
(2) 부품
◇ 저 항
1kΩ (1개)
1.2kΩ (1개)
2.2kΩ (1개)
3kΩ (1개)
10kΩ (1개)
10mΩ (1개)
1kΩ 전위차계 (1개)
◇ 트랜지스터
JEFT 2N4116 (1개)
(3) 공급기
직류전원 공급기
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| 등전위선 실험
1. 목적
도체 판에 전류를 흐르게 하여, 그 위에 등전위선을 그리고, 전기장과 등전위선에 관한 성질을 이해한다.
2. 실험기구
고정전극(원형, 막대형), 고정검침봉, 이동검침봉, 도체판, 전원 공급 장치, 검류계, 모눈종이 형 등전위선 측정용지
3. 기본 원리
전위차를 가진 두 전극 사이에는 항상 전기장이 존재한다. 전하량 q 의 하전 입자가 전기장 내에서 힘F 를 받을 때, 그 점.. |
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| X- ray diffractometer (XRD) 의 구성
[1] 일반적으로 Generator, Goniometer, Monochromator, 검출기, 계수기록회로로 구성.
1. X-ray Generator (X선 발생장치)
1) X-ray Tube (X선관)
: x선관은 열전자 2극 진공관의 일종이다. 가열된 음극(일반적으로 텅스텐 필라멘트 사용)으로부터 나온 열전자를 가속시켜 Target(대음극) 에 충돌하면서 X선이 방사된다.
① Sealed-off X-ray Tube (밀폐형 Tube).. |
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| 주사전자현미경(Scanning Electron Microscope)
원리
전자발생원(electron source)으로부터 전자선을 조사해 미소한 점으로 초점을 맞추고, 검출기로 미소점에서의 변화된 신호량의 대소를 브라운관 점의 명암으로써 영상시키는 방식이다. 전자선이 조사될 때 후방 산란 전자(back scattered electron), 2차 전자(secondary electron), X선, 음극 형광 등이 발생된다. 발생한 전자는 검출기에 의해 전류신.. |
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| 반도체 공정
(wafer fabrication)
목차
1. 반도체란
2. 반도체의 기본이 되는 트랜지스터, 그 중 대세인 MOSFET
3. 풀노드와 하프노드
4. 공정에서 칩의 크기를 줄이려는 이유
5. 반도체 공정재료와 장비
6. 반도체 관련 용어
7. 반도체 공정 요약
8. 구체적인 반도체공정
1. 반도체란
전기전도도에 따라 물질을 분류하면 크게 도체, 반도체, 부도체로 나뉜다. 반도체는 순수한 상태에서 부도체와 비슷한.. |
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| 제목
수 체계
실험목표
□2진수 또는 BCD(binary code decimal) 수를 10진수로 변환.
□BCD 수를 디코딩하고 7-세그먼트로 표시해 주는 디지털 시스템 구성.
□모의실험용으로 결함을 만들어 놓은 회로의 고장 진단.
사용 부품
LED 4개
7447A BCD/10진 디코더
MAN72 7-세그먼트 디스플레이
4조 DIP 스위치
저항: 330Ω 11개, 1.0kΩ 1개
실험순서
1. 이 실험의 회로를 구성하기 전에 ‘실험 개요’의 ‘회로 결선.. |
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| [전자회로실험] Orcad 실험
1. 실험제목
1) Orcad 실험
2. 목적
1) Orcad를 이용하여 회로도를 그리고 시뮬레이션 하는 방법을 익힌다.
2) 시뮬레이션의 종류가 여러 개 있음을 알고, 각 종류마다의 사용법을 익힌다.
3. 이론
1) Spice (Simulation Program eith Integrated Circuit Emphasis)
전기, 전자 및 디지털회로 등을 설계할 경우에는 회로 특성을 평가할 수 있는 정확한 방법이 필수적이다. .. |
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| 반도체의 원리 및 응용
생활속의 신소재
반 도 체 (Semiconductor)란
“ 원래는 거의 전기가 통하지 않지만 빛이나 열, 또는 특정 불순물을
가해 주면 전기가 통하고 또한 조절도 할 수 있는 물질
마법의돌, 전자 산업의 꽃, 산업의 쌀, 20세기 최대의 발명품.
발전
1946 진공관 에니악 컴퓨터 발명--- 1948년 트랜지스터 발명 --- 1958년
반도체IC(집적회로)발명--- 1970년대 LSI -- 1980년대 VL.. |
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| -목차-
1.차단기란
2.차단기의 규격상의 정의
3.특고압 차단기의 종류
1)유입차단기(OCB)
(1)아크에 대한 소호 방법
(2)특성
2)진공차단기(VCG)
3)가스차단기(GCB)
4)자기차단기(MBCB)
5)공기차단기(ABCB)
4.차단기 비교률표
5.차단기 선정시 고려사항
(서론)
1.차단기란
차단기의 한자어는 막을 차(遮), 끊을 단(斷)을 쓰는데 그 의미대로 해석하면 막아 주고 끊어주는 기기이다. 즉, 이.. |
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| 제목 : 산화 공정 (Oxidation)
목적 : 반도체 소자 제조 공정 중 하나로 고온에서 산소나 수증기를 주입시키고 열을 가해 실리콘 웨이퍼 표면에 얇고 균일한 실리콘 산화막을 형성 시키는 공정이다. 실리콘 산화막은 실리콘 표면에 원하지 않는 오염을 방지하는 역할 뿐 아니라 반도체소자에 서 매우 우수한 절연체로 전류와 도핑물질의 이동을 막는데 사용되는 물질로 고품질 의 SiO₂박막을 성장시키는 산.. |
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