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 통신공학 실험 - 시분할 다중화방식(TDM) ( 7Pages )
통신공학 실험 - 시분할 다중화방식(TDM) 1. 실험구성원 2. 실험일시 3. 실험 목적 (1) 시간분할 다중화와 DEMUX의 동작을 이해한다. 4.실험 기자재 및 부품 저 항 (1)470Ω, (7)1KΩ, (2)100kΩ, (7)10KΩ 커패시터 (2)0.01uF, (1)0.1uF 가변저항기 (1)100KΩ, (3)10㏀ 능동소자 CD4017 decade counters (2) 능동소자 LM 555 타이머 능동소자 LM741 OP AMP 능동소자 LM 2907 FVC 능동소자 IN 400..
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 섬유화학 _ 재결정 실험 ( 4Pages )
섬유화학 - 재결정 실험 1. 실험 제목 : 재결정 2. 실험 날자 : 3. 실험 목적 고체의 순도 향상을 위한 조작. 용해도차와 온도차를 이용하여 순도가 좋은 물질을 얻는다. 4. 준비물 시료: 불순물이 함유된 나프탈렌, 에탄올, 활성탄소 기구: 삼각플라스크 2개, 여과지, 미량 직시저울, 온도계, 메스실린더, 가열플레이트, Buchner funnel, 샬레, 흡인 플라스크 5. 실험 방법 1) 불순한 나프탈렌(nap..
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 화학실험보고서 - NaHCO₃와 Na2CO3를 이용해서 일정 성분비의 법칙을 알아보는 실험 ( 4Pages )
결과보고서 일정 성분비의 법칙 1.Abstract 이번 실험은 NaHCO₃와 Na2CO3를 이용해서 일정 성분비의 법칙을 알아보는 실험이다. 두 탄산염은 염산과 반응하여 이산화탄소가 생성된다. 반응 결과 생성된 이산화탄소의 질량과 부피를 가지고 원자론의 확립에 핵심적인 역할을 한 일정 성분비의 법칙을 확인하는 것이 이번 실험의 목적이다. 일정 성분비의 법칙을 통해서 우리는 원자 세계에서 질량과 수의 ..
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 반도체공정 실험 - Photo Lithography ( 3Pages )
실험: Photo Lithography 1. 실험 목적 MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Wafer cleaning Oxidation 공정을 실시한 후 Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 Photo lithography 를 실시하며 FE-SEM을 이용하여 PR inspection을 측정한다. 이번 실험에서 PR두께는 1~2micro meter로, Developing time은 90sec로 고정하며 Exposure time을 2, 5 10sec로 변화를 주어 노광 시간을 조정함에 따라 PR공정 결과..
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 [화학실험보고서] 중량법에 의한 Fe 정량 ( 3Pages )
[ 실험제목 : 중량법에 의한 Fe 정량 ] 1. 실험 제목 : 중량 법에 의한 Fe의 정량 2. 실험 목적 : 중량 법을 숙지하여 (NH4)2SO4FeSO46H2O 중의 Fe의 함량을 구할 수 있다. 3. 실험 도구 및 지시약 (1) 실험 도구 : Balance, 비커, 시계접시, 알코올램프, 삼발이, 깔때기, 도가니, 건조기, 전기로, 유산지, 유리막대, 거름종이, 석면철망, 스포이드 (2) 시약 : (NH4)2SO4FeSO46H2O, d.H2SO4, 15%NH4OH ..
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 전자회로실험-온도 상승 경보기 ( 10Pages )
[전자회로실험]온도 상승 경보기 1. 프로젝트 개요 회로의 특성을 이해한다. 서미스터 : 온도제어용 센서 체온계,온도계,습도계,기압계, 화재경보시 2. 이론적 배경 ....
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 [물리실험] 결과 리포트 _ Ohm’s Law 옴의 법칙 ( 3Pages )
[ 결과 리포트 – Ohm’s Law ] 1. 실험 주제 및 목적 회로 상에서 전류(I), 전압(V), 저항(R) 사이에서 성립하는 이론 Ohm’s Law를 한 변수를 고정시키고 다른 두 변수의 변화를 관찰하는 실험을 통하여 이론값과 실험에서의 결과 값의 차이에 대하여 비교해보고 그 상관관계를 확인해 보고자 한다. 2. 실험 결과 ① 첫 번째 실험은 저항 R을 1k으로 일정하게 유지한 후 V를 증가시킴에 따라 변화하는 I의 ..
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 고체역학 실험보고서 - 스트레인 게이지 응용 실험 ( 4Pages )
고체역학 실험보고서 - 스트레인 게이지 응용 실험 1. 실험 목적 - 스트레인 게이지의 원리와 사용방법을 이해한다. - 변형률과 응력을 측정한다. 2. 실험 방법 1)표면을 연마한다. - Degreaser(세척제) : 불순물 제거 - Conditioner(산성제) : 녹 제거 및 윤활 (사포) - Neutralizer(중화제) : 시료 중화 및 윤활 (사포) 2) 게이지의 부착 3) 변형률 측정 (600g, 900g, 1500g 추 사용) 3. 실험 결과 ..
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 [수리학 실험] 부체안정실험 ( 5Pages )
수리학 실험 보고서 1.서론 이 실험은 모형배의 중심을 인위적으로 변경시켜 가면서 그 중심에 따라서 배의 안정상태가 어떻게 달라져 가는가를 실험하며 이론에 의한 계산결과와 실험결과를 비교하는 것이 이 실험의 목적이다. 2.실험장치 - 실험 제원 - *모형배의 전체무게:2.6kg *수평추의 무게:0.2kg *중심이동 추의 무게:0.5kg *모형배의 폭(b):206mm(20.6cm) *모형배의 길이(l):360mm(..
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 물리학 실험 - RLC 공진회로와 대역필터 ( 3Pages )
1. 실험 제목 : RLC 공진회로와 대역필터 2. 실험 목적 - 본 실험을 통해 ■ RLC 공진회로에 대한 기본 개념과 이론을 파악한다. ■ Q factor, Cut-off 주파수 등 공진회로의 특성을 알아본다. ■ RLC 회로의 공진 주파수 특성을 실험을 통하여 이해한다. ■ 주파수 변화에 따른 RLC 회로의 임피던스를 알아본다. 3. 실험 준비물 -오실로스코프 -함수발생기 -디지털 멀티미터(DMM) -저항 -인턱터 -커패시터 ..
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 실험보고서 - 지질의 검정 ( 4Pages )
Abstract 이번 실험의 목적은 생체 주요 구성성분인 지질의 특성과 기능을 이해하는 것이다. 실험원리는 지질이 물이나 염류 용액과 같은 극성용매에는 녹지 않고 클로로포름이나 에테르와 같은 비극성 용매에 잘 녹는다는 성질을 이용한 것이다. 실험방법은 먼저 지질의 염색실험을 위해 고운 땅콩가루에 증류수를 섞고 수단Ⅲ 용액을 첨가하여 발색반응을 확인한다. 그 후 지질의 용해도 실험을 위해 20개..
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 항공우주공학 실험- 알류미늄인장실험 ( 9Pages )
실 험 제 목 : 금속 물성 실험(인장실험) 1. 실험 개요 우리가 설계를 함에 있어서 가장 기본이 되는 것이 바로 재료의 성질을 아는 것이다. 역학적인 하중을 계산 하고 설계를 하기 전에 먼저 그 재료의 성질을 알아야지만 모든 것이 가능하다. 이러한 재료의 성질 중 인장이 있다. 인장이란 외력에 의하여 늘어나는 현상을 말한다. 이러한 인장 시에 여러 현상을 볼수 있는데 이러한 재료의 특징에 대하..
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 일반물리학 실험 - Hooke(후크)의 법칙, 고체의 탄성 및 조화진동 ( 7Pages )
Hooke(후크)의 법칙, 고체의 탄성 및 조화진동 (1)실험 목표 1) 스프링에서 Hooke 의 법칙을 실험으로 보여 줄 수 있다. 2) 스피링-질량 진동자에서 조화진동을 실험으로 보여 줄 수 있다. 3) 스프링-질량 진동자로부터 진폭, 각주파수, 주파수, 주기를 측정할 수 있다. 4) 스프링-질량 진동자 주기의 스프링 상수 및 질량의 의존성을 측정할 수 있다. 5) 스프링-질량 진동자에서 에너지 보존법칙을 측정하..
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 일반화학실험 - 헤스의 법칙 ( 6Pages )
1. Abstract and Introduction 1.1 실험 목적  이번 실험은 산과 염기의 중화 반응을 이용하여 엔탈피(H, Enthalpy)가 상태 함수임을 알아보고, 헤스의 법칙이 실제로 성립함을 확인해 보고자 하는 실험이다. 먼저 실험 A에서는 고체 수산화나트륨과 염산을 반응시켜 염화나트륨과 물이 생성되는 과정에서의 반응열 (H1)을 측정하고, 실험 B에서는 고체 수산화 나트륨의 융해열(H2)를 측정한다. 그리고 실..
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 단위조작실험 - 온도에 따른 부피의 변화 ( 3Pages )
1. 실험 제목 온도에 따른 부피의 변화 2. 실험 목적 일정 압력 하에서 온도와 기체의 부피의 비는 비례하며 샤를의 법칙을 통해 부피의 증가수치를 계산할 수 있다. 3. 실험 이론 일정량의 기체가 차지하는 체적은 일정 압력 하에서는 온도가 1℃ 상승할 때마다 0℃일 때의 체적의 1/273씩 증가한다는 법칙. 일정 압력 하에서의 기체의 체적은 절대온도에 비례한다, 라고 표현할 수 있다. 0℃ 부피 : V0 t℃..
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