전자회로실험 - CE 구성의 특성곡선 및 측정
리포트 > 공학/기술
전자회로실험 - CE 구성의 특성곡선 및 측정
한글
2013.05.02
25페이지
1. 전자회로실험 - CE 구성의 특성곡선 및 측..
2. 전자회로실험 - CE 구성의 특성곡선 및 측..
전자회로실험 - CE 구성의 특성곡선 및 측정
결과 보고서
1. 실험 제목
CE 구성의 특성곡선 및 측정

2. 실험 목적
․ 트랜지스터의 접속 중 CE접속을 이용하여 회로를 구성, 그에 따른 각 저항 및 소자에서 출력되는 전류, 전압을 측정하여 TR의 동작을 이해한다.
․ pcpice , 이론계산으로 나온 값과 실제 실험을 통하여 나온 값을 비교하여 실제적인 오차를 파악하고 실제로 트랜지스터가 어떻게 작동하는지를 알아본다.

3. 실험 장비 및 재료
․ 전원 : 가변 dc 전원
․ 계측기 : dc 전류계 (2개), 멀티미터
․ 저항 : 1/2 100Ω 1%, 1kΩ 1%, 1/4W 3.9Ω, 820Ω, 5kΩ (또는 4.7kΩ) 가변저항 (2개)
․ 반도체 : 2N2222A (npn)
․ 기타 : ON/OFF DIP 스위치 (2개)

4. 실험절차 및 결과 분석
(실제 실험은 저항 R1을 20k으로 하여 실험 하였다.)

A. 측정

1. 주어진 트랜지스터의 형(type)과 에미터, 베이스, 콜렉터 단자를 테스터를 사용하여 확인하라.
- 멀티테스터기 Range를 1R 에 두고 흑색 리드와 적색리드를 다음 순서로 측정하여 NPN 형과 PNP 형을 먼저 구분.

A. 트랜지스터 다리 3개를 임의로 1,2,3 으로 정하고 1번핀에 적색을 고정하고 검은색리드를 나머지 2번과 3번에 접촉하였을 때 테스터기의 지침이 중간정도 움직이는 핀이 있는지를 알아본 후 하나만 움직이면 PNP형, 2개다 움직이면 NPN형 하나도 안 움직이면 적색 리드를 2번핀에 고정시킨 후 위 1번과 같은 방법으로 측정 한다.
※ 아날로그 멀티 테스터기를 이용 시엔 검정색리드는 단자에 연결되어 있어야한다. (실제는 + 전압을 출력)

B. NPN 형 극성찾기
....
전자공학 실험 - 다이오드 특성 곡선 전자공학 실험 - 다이오드 특성곡선 결과 보고서
기초전자회로실험 - 다이오드의 특성 전자회로 실험 - 저항측정
에미터 공통회로의 출력 특성곡선 CE CB CC 증폭기의 고주파응답회로 및 캐스코드..
전기전자 실험 - diode[다이오드] 특성곡선 및 .. 전자회로실험 - 접합 다이오드의 특성
[전자회로실험] 증가형 MOSFET의 단자 특성과 .. 전자회로실험 - JEFT 바이어스 회로
전자회로실험-온도 상승 경보기 [실험보고서] MOSFET의 특성
전기전자 기초 실험 - 공통 에미터 트랜지스터 .. [전자회로실험] 1. 기본 OP앰프 응용회로, 2. ..
 
(건설)책임관리제도와 건설사..
[건축] 국내외 CM 사례조사
cm레포트
딸기잼의 제조과정 및 잼의 원리
[건축공학] 저탄소 방의 냉방..
공조설비설계 열원 계산