Sputtering을 이용한 Ti 증착
목차
실험 목적
실험 이론
실험 방법
결과 및 토의
1. 실험 목적
Working pressure를 변화 시킬 때 두께와 저항의 변화를 그래프를 이용해 분석하여 Working pressure와 두께, 저항의 관계를 알아본다.
2. 실험 이론-Sputter의 원리
구슬치기의 원리
스퍼터링 장치의 구성
Vacuum chamber
Target-Ti 특성
원자번호 22번, 원자량 47.88
가볍고, 강하고, 내식성이 크다.
비자성-] 바이오메티칼 부문에 널리 쓰임
좋은 열 전달
높은 용융점 (1725°C)
좋지 않은 전도체→좋은 저항체
Target-Ti 용도
3. 실험 방법-실험 조건
power: 100W
gas: Ar
Flow rate: 15sccm (Standard Cubic Centimeter per minute 부피유속이라기 보다는 molar flow)
SubstrateTemperature: Room Temperature
deposition time: 10min
working pressure: sample1:1mtorr, sample2: 4mtorr, sample3: 7mtorr, sample4: 10mtorr
base pressure:5~7x10-7 torr
Ti는 Si위에 증착
3. 실험 방법
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2014.09.26
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